Тип | Описание |
Състояние на частта | Obsolete |
---|---|
FET тип | P-Channel |
Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
Изтичане към източника на напрежение (Vdss) | 8V |
Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C | 4.4A (Ta) |
Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42 mOhm @ 5.8A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Зареждане на порта (Qg) (макс.) @ Vgs | 19nC @ 4.5V |
Vgs (макс.) | ±8V |
Входящ капацитет (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Функция FET | - |
Разсейване на мощността (макс.) | 1.1W (Ta) |
Работна температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип на монтажа | Surface Mount |
Пакет с устройства на доставчика | 6-TSOP |
Опаковка / калъф | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Статус на RoHS. | RoHS съвместим |
---|---|
Ниво на чувствителност на влага (MSL) | Не е приложимо |
Статус на жизнения цикъл | Остарял / край на живота |
Категория запас | Налични запаси |