Транзистори - FET, MOSFET - единични

5HN01C-TB-H

Част запас: 147399

5HN01C-TB-E

Част запас: 176441

5LN01SP-AC

Част запас: 6260

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 50V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 100mA (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8 Ohm @ 50mA, 4V,

5LN01C-TB-E

Част запас: 128226

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 50V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 100mA (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8 Ohm @ 50mA, 4V,

5LP01M-TL-HX

Част запас: 1826

5LP01SP

Част запас: 1894

FET тип: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 50V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 70mA (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 Ohm @ 40mA, 4V,

5LP01M-TL-E

Част запас: 6268

FET тип: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 50V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 70mA (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 Ohm @ 40mA, 4V,

5LN01SP

Част запас: 1839

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 50V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 100mA (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8 Ohm @ 50mA, 4V,

5LN01M-TL-E

Част запас: 1842

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 50V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 100mA (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8 Ohm @ 50mA, 4V,

5LP01SS-TL-H

Част запас: 6223

FET тип: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 50V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 70mA (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 Ohm @ 40mA, 4V,

5LP01SS-TL-E

Част запас: 1441

FET тип: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 50V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 70mA (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 Ohm @ 40mA, 4V,

5LP01S-TL-E

Част запас: 1507

FET тип: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 50V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 70mA (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 Ohm @ 40mA, 4V,

5LP01C-TB-H

Част запас: 174960

FET тип: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 50V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 70mA (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 Ohm @ 40mA, 4V,

5LP01C-TB-E

Част запас: 128915

FET тип: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 50V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 70mA (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 Ohm @ 40mA, 4V,

5LN01SS-TL-H

Част запас: 1448

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 50V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 100mA (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8 Ohm @ 50mA, 4V,

5LN01C-TB-H

Част запас: 6222

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 50V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 100mA (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8 Ohm @ 50mA, 4V,

5LN01S-TL-E

Част запас: 1469

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 50V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 100mA (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8 Ohm @ 50mA, 4V,

5LN01SS-TL-E

Част запас: 109264

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 50V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 100mA (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8 Ohm @ 50mA, 4V,

5LP01M-TL-H

Част запас: 185339

FET тип: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 50V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 70mA (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 Ohm @ 40mA, 4V,

5X49_BG7002B

Част запас: 646

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V,

5LP01SP-AC

Част запас: 9476

FET тип: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 50V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 70mA (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 Ohm @ 40mA, 4V,

6HP04MH-TL-W

Част запас: 133677

FET тип: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 370mA (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 Ohm @ 190mA, 10V,

6HP04CH-TL-W

Част запас: 133287

FET тип: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 370mA (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 Ohm @ 190mA, 10V,

62-0136PBF

Част запас: 2160

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 19A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 19A, 10V,

62-0095PBF

Част запас: 2163

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 10A (Ta), 12A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4 mOhm @ 10A, 10V,

64-9149PBF

Част запас: 2109

64-9150PBF

Част запас: 2108

64-4123PBF

Част запас: 1999

62-0203PBF

Част запас: 995

FET тип: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 12V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 16A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 16A, 4.5V,

64-2096PBF

Част запас: 616

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 75V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 160A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8 mOhm @ 110A, 10V,

64-2105PBF

Част запас: 597

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 75A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7 mOhm @ 75A, 10V,

64-4092PBF

Част запас: 9616

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 55V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 28A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 17A, 10V,

64-2092PBF

Част запас: 9592

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 55V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 75A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 66A, 10V,

62-0063PBF

Част запас: 9577

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 12V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 15A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 15A, 4.5V,

64-0055PBF

Част запас: 9517

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 160A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 75A, 10V,

64-9146

Част запас: 9510

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 32A (Ta), 180A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 mOhm @ 15A, 10V,