Транзистори - FET, MOSFET - единични | Дискретни полупроводникови продукти | 100

AUIRFU8403

Част запас: 91384

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 100A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1 mOhm @ 76A, 10V,

За желание

Infineon Technologies

AUIRFR48ZTRL

Част запас: 91395

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 55V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 42A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 37A, 10V,

За желание

Infineon Technologies

AUIRFU540Z

Част запас: 91507

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 35A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5 mOhm @ 21A, 10V,

За желание

Infineon Technologies

AUIRFR540ZTRL

Част запас: 93233

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 35A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5 mOhm @ 21A, 10V,

За желание

Infineon Technologies

AUIRF7478QTR

Част запас: 94891

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 7A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 4.2A, 10V,

За желание

Infineon Technologies

AUIRLR2905TRL

Част запас: 94911

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 55V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 42A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 25A, 10V,

За желание

Infineon Technologies

AUIRFZ34N

Част запас: 92537

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 55V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 29A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 16A, 10V,

За желание

Infineon Technologies

AUIRLZ24NS

Част запас: 94490

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 55V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 18A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 11A, 10V,

За желание

Infineon Technologies

AUIRFR2905ZTRL

Част запас: 95517

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 55V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 42A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5 mOhm @ 36A, 10V,

За желание

Infineon Technologies

AUIRL7732S2TR

Част запас: 99492

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 14A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6 mOhm @ 35A, 10V,

За желание

Infineon Technologies

AUIRFU8401

Част запас: 101247

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 100A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.25 mOhm @ 60A, 10V,

За желание

Infineon Technologies

AUIRFR8401TRL

Част запас: 101221

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 100A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.25 mOhm @ 60A, 10V,

За желание

Infineon Technologies

AUIRFU4292

Част запас: 105733

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 250V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 9.3A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 345 mOhm @ 5.6A, 10V,

За желание

Infineon Technologies

AUIRFR4292TRL

Част запас: 105718

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 250V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 9.3A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 345 mOhm @ 5.6A, 10V,

За желание

Infineon Technologies

AUIRFR4105ZTRL

Част запас: 106733

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 55V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 20A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5 mOhm @ 18A, 10V,

За желание

Infineon Technologies

AUIRFR3806TRL

Част запас: 108149

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 43A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8 mOhm @ 25A, 10V,

За желание

Infineon Technologies

AUIRFR5505TRL

Част запас: 108091

FET тип: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 55V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 18A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 9.6A, 10V,

За желание

Infineon Technologies

AUIRLR3410TRL

Част запас: 108074

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 17A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 10A, 10V,

За желание

Infineon Technologies

AUIRLR3410TR

Част запас: 109951

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 17A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 10A, 10V,

За желание

Infineon Technologies

AUIRF7732S2TR

Част запас: 111753

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 14A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.95 mOhm @ 33A, 10V,

За желание

Infineon Technologies

AUIRF7647S2TR

Част запас: 118381

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 5.9A (Ta), 24A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 14A, 10V,

За желание

Infineon Technologies

AUIRLL2705TR

Част запас: 121940

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 55V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 5.2A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 3.8A, 10V,

За желание

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOWF7S65

Част запас: 89484

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 650V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 7A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 3.5A, 10V,

За желание

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO7401

Част запас: 176825

FET тип: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 1.4A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 1.2A, 10V,

За желание

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOTF7S65

Част запас: 93286

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 650V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 7A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 3.5A, 10V,

За желание

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO3435

Част запас: 138087

FET тип: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 2.9A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 3.5A, 4.5V,

За желание

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD4185

Част запас: 115384

FET тип: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 40A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 20A, 10V,

За желание

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO3419

Част запас: 130192

FET тип: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 3.5A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 3.5A, 10V,

За желание

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON7522E

Част запас: 148125

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 21A (Ta), 34A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 20A, 10V,

За желание

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOI7S65

Част запас: 103381

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 650V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 7A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 3.5A, 10V,

За желание

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4421

Част запас: 174381

FET тип: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 6.2A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 6.2A, 10V,

За желание

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4485

Част запас: 182062

FET тип: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 10A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 10A, 10V,

За желание

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON7410

Част запас: 145659

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 9.5A (Ta), 24A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V,

За желание

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD4184A

Част запас: 147295

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 13A (Ta), 50A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 20A, 10V,

За желание

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOU4S60

Част запас: 117460

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 600V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 4A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 2A, 10V,

За желание

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOWF4S60

Част запас: 116809

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 600V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 4A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 2A, 10V,

За желание