Menu
Български езикБългарски език
Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Транзистори - FET, MOSFET - единични

BUK7226-75A,118
Nexperia USA Inc.

BUK7226-75A,118

Част запас: 189676

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 75V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 45A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 25A, 10V,

За желание
BUK7604-40A,118
Nexperia USA Inc.

BUK7604-40A,118

Част запас: 62179

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 75A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 25A, 10V,

За желание
BUK7108-40AIE,118
Nexperia USA Inc.

BUK7108-40AIE,118

Част запас: 1464

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 75A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 50A, 10V,

За желание
BUK625R2-30C,118
Nexperia USA Inc.

BUK625R2-30C,118

Част запас: 117505

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 90A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 15A, 10V,

За желание
BUK653R3-30C,127
Nexperia USA Inc.

BUK653R3-30C,127

Част запас: 1461

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 100A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 25A, 10V,

За желание
BUK6246-75C,118
Nexperia USA Inc.

BUK6246-75C,118

Част запас: 182043

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 75V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 22A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 10A, 10V,

За желание
BUK962R8-30B,118
Nexperia USA Inc.

BUK962R8-30B,118

Част запас: 81412

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 75A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 25A, 10V,

За желание
BUK7Y59-60EX
Nexperia USA Inc.

BUK7Y59-60EX

Част запас: 163556

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 17A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59 mOhm @ 5A, 10V,

За желание
BUK9D23-40EX
Nexperia USA Inc.

BUK9D23-40EX

Част запас: 9999

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 8A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 8A, 10V,

За желание
BUK7Y9R9-80EX
Nexperia USA Inc.

BUK7Y9R9-80EX

Част запас: 141706

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 80V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 89A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98 mOhm @ 5A, 10V,

За желание
BTS121AE3045ANTMA1
Infineon Technologies

BTS121AE3045ANTMA1

Част запас: 6242

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 22A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 9.5A, 4.5V,

За желание
BSS169L6906HTSA1
Infineon Technologies

BSS169L6906HTSA1

Част запас: 1454

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 170mA (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

За желание
BSS159NL6906HTSA1
Infineon Technologies

BSS159NL6906HTSA1

Част запас: 1478

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 230mA (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 160mA, 10V,

За желание
BSP320SL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP320SL6327HTSA1

Част запас: 1391

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 2.9A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 2.9A, 10V,

За желание
BSP324L6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP324L6327HTSA1

Част запас: 1482

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 400V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 170mA (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 Ohm @ 170mA, 10V,

За желание
BSF050N03LQ3GXUMA1
Infineon Technologies

BSF050N03LQ3GXUMA1

Част запас: 1464

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 15A (Ta), 60A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V,

За желание
BSD816SNL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSD816SNL6327HTSA1

Част запас: 1485

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 1.4A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 1.4A, 2.5V,

За желание
BSB012NE2LX
Infineon Technologies

BSB012NE2LX

Част запас: 1435

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 25V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 37A (Ta), 170A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 mOhm @ 30A, 10V,

За желание
BSB017N03LX3 G
Infineon Technologies

BSB017N03LX3 G

Част запас: 1460

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 32A (Ta), 147A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 30A, 10V,

За желание
BSB012N03LX3 G
Infineon Technologies

BSB012N03LX3 G

Част запас: 1453

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 39A (Ta), 180A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 mOhm @ 30A, 10V,

За желание
BSP320SL6433HTMA1
Infineon Technologies

BSP320SL6433HTMA1

Част запас: 1443

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 2.9A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 2.9A, 10V,

За желание
BSS123L6433HTMA1
Infineon Technologies

BSS123L6433HTMA1

Част запас: 1415

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 170mA (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

За желание
BSP135L6433HTMA1
Infineon Technologies

BSP135L6433HTMA1

Част запас: 1475

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 600V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 120mA (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 Ohm @ 120mA, 10V,

За желание
BSP296L6433HTMA1
Infineon Technologies

BSP296L6433HTMA1

Част запас: 1422

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 1.1A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 1.1A, 10V,

За желание
BSP125L6433HTMA1
Infineon Technologies

BSP125L6433HTMA1

Част запас: 1378

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 600V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 120mA (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 Ohm @ 120mA, 10V,

За желание
BSF077N06NT3GXUMA1
Infineon Technologies

BSF077N06NT3GXUMA1

Част запас: 1439

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 13A (Ta), 56A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7 mOhm @ 30A, 10V,

За желание
BSC889N03MSGATMA1
Infineon Technologies

BSC889N03MSGATMA1

Част запас: 1403

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 12A (Ta) 44A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1 mOhm @ 30A, 10V,

За желание
BSC889N03LSGATMA1
Infineon Technologies

BSC889N03LSGATMA1

Част запас: 1458

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 13A (Ta), 45A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 30A, 10V,

За желание
BSC884N03MS G
Infineon Technologies

BSC884N03MS G

Част запас: 1453

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 34V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 17A (Ta), 85A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 30A, 10V,

За желание
BSC882N03MSGATMA1
Infineon Technologies

BSC882N03MSGATMA1

Част запас: 1461

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 34V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 22A (Ta), 100A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 30A, 10V,

За желание
BSC240N12NS3 G
Infineon Technologies

BSC240N12NS3 G

Част запас: 1398

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 120V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 37A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 31A, 10V,

За желание
BSV236SPH6327XTSA1
Infineon Technologies

BSV236SPH6327XTSA1

Част запас: 144710

FET тип: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 1.5A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

За желание
BSS127H6327XTSA2
Infineon Technologies

BSS127H6327XTSA2

Част запас: 137721

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 600V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 21mA (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 16mA, 10V,

За желание
BUK961R4-30E,118
NXP USA Inc.

BUK961R4-30E,118

Част запас: 1432

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 120A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 mOhm @ 25A, 5V,

За желание
BUK761R3-30E,118
NXP USA Inc.

BUK761R3-30E,118

Част запас: 1413

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 120A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3 mOhm @ 25A, 10V,

За желание
BSN20Q-7
Diodes Incorporated

BSN20Q-7

Част запас: 146657

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 50V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 500mA (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 220mA, 10V,

За желание