Menu
Български езикБългарски език
Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Транзистори - биполярни (BJT) - RF

15GN01MA-TL-E
ON Semiconductor

15GN01MA-TL-E

Част запас: 176347

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 8V, Честота - преход: 1.5GHz, Мощност - Макс: 400mW,

За желание
15GN01CA-TB-E
ON Semiconductor

15GN01CA-TB-E

Част запас: 194654

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 8V, Честота - преход: 1.5GHz, Мощност - Макс: 200mW,

За желание
2SC5536A-TL-H
ON Semiconductor

2SC5536A-TL-H

Част запас: 129846

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 12V, Честота - преход: 1.7GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 1.8dB @ 150MHz, Печалба: 16dB, Мощност - Макс: 100mW,

За желание
2SC5646A-TL-H
ON Semiconductor

2SC5646A-TL-H

Част запас: 145975

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 4V, Честота - преход: 10GHz ~ 12.5GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz, Печалба: 9.5dB ~ 10.5dB @ 2GHz, Мощност - Макс: 100mW,

За желание
2SC5490A-TL-H
ON Semiconductor

2SC5490A-TL-H

Част запас: 102087

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 10V, Честота - преход: 8GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 0.9dB @ 1.5GHz ~ 1GHz, Печалба: 10dB ~ 5.5dB @ 1.5GHz, Мощност - Макс: 100mW,

За желание
2SC5227A-4-TB-E
ON Semiconductor

2SC5227A-4-TB-E

Част запас: 149544

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 10V, Честота - преход: 7GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz, Печалба: 12dB, Мощност - Макс: 200mW,

За желание
2SC5347AE-TD-E
ON Semiconductor

2SC5347AE-TD-E

Част запас: 107074

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 12V, Честота - преход: 4.7GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz, Печалба: 8dB, Мощност - Макс: 1.3W,

За желание
10A060
Microsemi Corporation

10A060

Част запас: 605

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 24V, Честота - преход: 1GHz, Печалба: 8dB ~ 8.5dB, Мощност - Макс: 21W,

За желание
2N4957UB
Microsemi Corporation

2N4957UB

Част запас: 2413

Тип транзистор: PNP, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Фигура на шума (dB Typ @ f): 3.5dB @ 450MHz, Печалба: 25dB, Мощност - Макс: 200mW,

За желание
2A8
Microsemi Corporation

2A8

Част запас: 697

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 21V, Честота - преход: 2GHz, Печалба: 7dB ~ 9dB, Мощност - Макс: 5.3W,

За желание
23A025
Microsemi Corporation

23A025

Част запас: 549

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 22V, Честота - преход: 3.7GHz, Печалба: 6dB ~ 6.3dB, Мощност - Макс: 9W,

За желание
2307
Microsemi Corporation

2307

Част запас: 648

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 42V, Честота - преход: 2.3GHz, Печалба: 8dB, Мощност - Макс: 20.5W,

За желание
2SC4098T106P
Rohm Semiconductor

2SC4098T106P

Част запас: 113796

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 25V, Честота - преход: 300MHz, Мощност - Макс: 200mW,

За желание
2SC4618TLN
Rohm Semiconductor

2SC4618TLN

Част запас: 145036

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 25V, Честота - преход: 300MHz, Мощност - Макс: 150mW,

За желание
2SC4713KT146S
Rohm Semiconductor

2SC4713KT146S

Част запас: 183409

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 6V, Честота - преход: 800MHz, Мощност - Макс: 200mW,

За желание
2SC4713KT146R
Rohm Semiconductor

2SC4713KT146R

Част запас: 149510

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 6V, Честота - преход: 800MHz, Мощност - Макс: 200mW,

За желание
2SC5087YTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5087YTE85LF

Част запас: 144

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 12V, Честота - преход: 7GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Печалба: 13dB, Мощност - Макс: 150mW,

За желание
2SC5084-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5084-O(TE85L,F)

Част запас: 170

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 12V, Честота - преход: 7GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Печалба: 11dB, Мощност - Макс: 150mW,

За желание
2SC4215-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4215-Y(TE85L,F)

Част запас: 171976

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Честота - преход: 550MHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 2dB ~ 5dB @ 100MHz, Печалба: 17dB ~ 23dB, Мощност - Макс: 100mW,

За желание
2SC5066-O,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5066-O,LF

Част запас: 111075

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 12V, Честота - преход: 7GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz, Мощност - Макс: 100mW,

За желание
2SC5085-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5085-Y(TE85L,F)

Част запас: 128600

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 12V, Честота - преход: 7GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Печалба: 11dB ~ 16.5dB, Мощност - Макс: 100mW,

За желание
2SC5086-O,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5086-O,LF

Част запас: 121034

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 12V, Честота - преход: 7GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz, Мощност - Макс: 100mW,

За желание
2SC5065-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5065-O(TE85L,F)

Част запас: 190

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 12V, Честота - преход: 7GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz, Мощност - Макс: 100mW,

За желание
2SC5085-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5085-O(TE85L,F)

Част запас: 170

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 12V, Честота - преход: 7GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz, Мощност - Макс: 100mW,

За желание
2SC5095-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5095-O(TE85L,F)

Част запас: 187

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 10V, Честота - преход: 10GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz, Печалба: 13dB ~ 7dB, Мощност - Макс: 100mW,

За желание
2SC5086-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5086-Y,LF

Част запас: 173074

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 12V, Честота - преход: 7GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz, Мощност - Макс: 100mW,

За желание
2SC5095-R(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5095-R(TE85L,F)

Част запас: 128

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 10V, Честота - преход: 10GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz, Печалба: 13dB ~ 7.5dB, Мощност - Макс: 100mW,

За желание
2SC4915-O,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4915-O,LF

Част запас: 124837

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Честота - преход: 550MHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 2.3dB ~ 5dB @ 100MHz, Печалба: 17dB ~ 23dB, Мощност - Макс: 100mW,

За желание
2SC5084YTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5084YTE85LF

Част запас: 152602

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 12V, Честота - преход: 7GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Печалба: 11dB, Мощност - Макс: 150mW,

За желание
2SC5087-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5087-O(TE85L,F)

Част запас: 162523

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 12V, Честота - преход: 7GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.1dB @ 500MHz ~ 1GHz, Мощност - Макс: 150mW,

За желание
2N5179
Central Semiconductor Corp

2N5179

Част запас: 11976

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 12V, Честота - преход: 2GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 4.5dB @ 200MHz, Печалба: 15dB, Мощност - Макс: 200mW,

За желание
2N918
Central Semiconductor Corp

2N918

Част запас: 11009

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 15V, Честота - преход: 600MHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 6dB @ 60kHz, Мощност - Макс: 200mW,

За желание
2N4427
Central Semiconductor Corp

2N4427

Част запас: 25708

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 20V, Честота - преход: 500MHz, Печалба: 10dB, Мощност - Макс: 1W,

За желание
2N2857
Central Semiconductor Corp

2N2857

Част запас: 10939

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 15V, Честота - преход: 1.9GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz, Мощност - Макс: 200mW,

За желание
2SC3357-T1-A
CEL

2SC3357-T1-A

Част запас: 7357

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 12V, Честота - преход: 6.5GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz, Печалба: 10dB, Мощност - Макс: 1.2W,

За желание
2SC5010-T1-A
CEL

2SC5010-T1-A

Част запас: 7305

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 6V, Честота - преход: 12GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz, Печалба: 8.5dB, Мощност - Макс: 125mW,

За желание