Транзистори - биполярни (BJT) - RF

MRF555G

Част запас: 7247

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 16V, Честота - преход: 470MHz, Печалба: 12.5dB, Мощност - Макс: 3W,

SD1224

Част запас: 1317

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 35V, Честота - преход: 175MHz, Печалба: 7.6dB, Мощност - Макс: 60W,

MS1030DE

Част запас: 4759

MS2552

Част запас: 323

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 65V, Честота - преход: 1.025GHz ~ 1.15GHz, Печалба: 6.7dB, Мощност - Макс: 880W,

JTDB25

Част запас: 278

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 55V, Честота - преход: 960MHz ~ 1.215GHz, Печалба: 7.5dB, Мощност - Макс: 97W,

MS1001

Част запас: 854

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 18V, Честота - преход: 30MHz, Печалба: 13dB, Мощност - Макс: 270W,

MS1019

Част запас: 7324

MS1004

Част запас: 552

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 55V, Честота - преход: 30MHz, Печалба: 14.5dB, Мощност - Макс: 330W,

MRF553G

Част запас: 4770

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 16V, Честота - преход: 175MHz, Печалба: 11dB ~ 13dB, Мощност - Макс: 3W,

MS1801

Част запас: 7255

MRF581G

Част запас: 7182

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 18V, Честота - преход: 5GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 3dB ~ 3.5dB @ 500MHz, Печалба: 13dB ~ 15.5dB, Мощност - Макс: 1.25W,

TPR400

Част запас: 415

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 55V, Честота - преход: 1.03GHz ~ 1.09GHz, Печалба: 7.27dB, Мощност - Макс: 875W,

SD1019-02

Част запас: 4742

MRF5812R1

Част запас: 4769

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 15V, Честота - преход: 5GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 500MHz, Печалба: 13dB ~ 15.5dB, Мощност - Макс: 1.25W,

MRF553GT

Част запас: 7274

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 16V, Честота - преход: 175MHz, Печалба: 11.5dB, Мощност - Макс: 3W,

MS2091H

Част запас: 4771

MS2200

Част запас: 256

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 65V, Честота - преход: 400MHz ~ 500MHz, Печалба: 9.7dB, Мощност - Макс: 1167W,

MCH4015-TL-H

Част запас: 155772

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 12V, Честота - преход: 10GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Печалба: 17dB, Мощност - Макс: 450mW,

MSC2295-CT1G

Част запас: 7147

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 20V, Честота - преход: 150MHz, Мощност - Макс: 200mW,

NSVF6003SB6T1G

Част запас: 9977

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 12V, Честота - преход: 7GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 3dB @ 1GHz, Печалба: 9dB, Мощност - Макс: 800mW,

MPSH81_D75Z

Част запас: 7155

Тип транзистор: PNP, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 20V, Честота - преход: 600MHz, Мощност - Макс: 350mW,

MMBTH81_F080

Част запас: 4820

Тип транзистор: PNP, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 20V, Честота - преход: 600MHz, Мощност - Макс: 225mW,

NSVF2250WT1G

Част запас: 7147

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 15V,

UPA895TS-T3-A

Част запас: 7149

Тип транзистор: 2 NPN (Dual), Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 5.5V, Честота - преход: 6.5GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz, Мощност - Макс: 130mW,

NE856M03-A

Част запас: 4728

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 12V, Честота - преход: 4.5GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2.5dB @ 1GHz, Мощност - Макс: 125mW,

NE85639-T1-R28-A

Част запас: 7258

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 12V, Честота - преход: 9GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Печалба: 13dB, Мощност - Макс: 200mW,

NE85633-R24-A

Част запас: 7149

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 12V, Честота - преход: 7GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Печалба: 11.5dB, Мощност - Макс: 200mW,

NE68139-T1-A

Част запас: 7386

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 10V, Честота - преход: 9GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Печалба: 13.5dB, Мощност - Макс: 200mW,

NE68133-T1B-R35-A

Част запас: 7256

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 10V, Честота - преход: 9GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Печалба: 13dB, Мощност - Макс: 200mW,

NE85634-T1-RE-A

Част запас: 7189

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 12V, Честота - преход: 6.5GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Печалба: 9dB, Мощност - Макс: 1.2W,

NE68730-T1

Част запас: 58149

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 3V, Честота - преход: 11GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2dB @ 2GHz, Мощност - Макс: 90mW,

MX0912B251Y,114

Част запас: 7164

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 20V, Честота - преход: 1.215GHz, Печалба: 7.4dB, Мощност - Макс: 690W,

PH2729-25M

Част запас: 370

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Печалба: 9.2dB, Мощност - Макс: 70W,

MRF428

Част запас: 808

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 55V, Печалба: 15dB, Мощност - Макс: 150W,

PH1090-175L

Част запас: 298

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 80V, Печалба: 8.58dB, Мощност - Макс: 188W,

MT3S113P(TE12L,F)

Част запас: 4314

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 5.3V, Честота - преход: 7.7GHz, Фигура на шума (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz, Печалба: 10.5dB, Мощност - Макс: 1.6W,