Диоди - Токоизправители - Масиви | Дискретни полупроводникови продукти | 100

MBRT60040R

Част запас: 959

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 600A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 750mV @ 300A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

GeneSiC Semiconductor

MSRTA200160(A)D

Част запас: 1239

Диодна конфигурация: 1 Pair Series Connection, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 200A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 200A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание

GeneSiC Semiconductor

MBRT50040R

Част запас: 1084

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 500A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 750mV @ 250A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

GeneSiC Semiconductor

FST12080

Част запас: 1525

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 80V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 120A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 840mV @ 120A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

GeneSiC Semiconductor

MBRT50060R

Част запас: 1065

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 500A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 800mV @ 250A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

GeneSiC Semiconductor

MBRT50035R

Част запас: 1133

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 35V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 500A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 750mV @ 250A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

GeneSiC Semiconductor

MBR200200CTR

Част запас: 1485

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 100A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 920mV @ 100A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

GeneSiC Semiconductor

MURT30040

Част запас: 1082

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 300A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.35V @ 150A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

GeneSiC Semiconductor

MBRT50035

Част запас: 1091

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 35V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 500A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 750mV @ 250A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

GeneSiC Semiconductor

MURT10040

Част запас: 1273

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 100A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.35V @ 50A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

GeneSiC Semiconductor

MURTA60060R

Част запас: 985

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 600A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.7V @ 300A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

GeneSiC Semiconductor

MBRT40045

Част запас: 992

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 45V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 400A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 750mV @ 200A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

GeneSiC Semiconductor

MBR2X060A200

Част запас: 3422

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 60A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 920mV @ 60A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

GeneSiC Semiconductor

FST12030

Част запас: 1597

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 120A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 650mV @ 120A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

GeneSiC Semiconductor

FST12040

Част запас: 1554

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 120A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 650mV @ 120A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Vishay Semiconductor Diodes Division

VFT1080C-E3/4W

Част запас: 148724

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 80V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 720mV @ 5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Vishay Semiconductor Diodes Division

VFT1080C-M3/4W

Част запас: 142397

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 80V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 720mV @ 5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Vishay Semiconductor Diodes Division

V40DM120CHM3/I

Част запас: 72988

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 120V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 20A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 890mV @ 20A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Vishay Semiconductor Diodes Division

VFT1060C-M3/4W

Част запас: 152283

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 700mV @ 5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT3045CBP-M3/4W

Част запас: 65447

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 45V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 15A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 570mV @ 15A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT4045C-M3/4W

Част запас: 56553

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 45V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 20A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 580mV @ 20A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Vishay Semiconductor Diodes Division

VT2080C-M3/4W

Част запас: 115587

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 80V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 10A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 810mV @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT3060C-M3/4W

Част запас: 103984

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 15A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 700mV @ 15A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Vishay Semiconductor Diodes Division

VF40100C-M3/4W

Част запас: 73453

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 20A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 730mV @ 20A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT3045C-M3/4W

Част запас: 76935

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 45V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 15A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 570mV @ 15A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

SMC Diode Solutions

SBR10200CT

Част запас: 179092

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 980mV @ 5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Infineon Technologies

DD710N16KHPSA2

Част запас: 124

Диодна конфигурация: 1 Pair Series Connection, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 710A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.31V @ 2500A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание

Infineon Technologies

DD540N22KHPSA2

Част запас: 104

Диодна конфигурация: 1 Pair Series Connection, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 2200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 540A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.48V @ 1700A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание

Infineon Technologies

DD171N16KHPSA1

Част запас: 113

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 171A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.26V @ 500A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание

Infineon Technologies

DD260N12KHPSA1

Част запас: 137

Диодна конфигурация: 1 Pair Series Connection, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 260A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.32V @ 800A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание

Global Power Technologies Group

GHXS015A120S-D3

Част запас: 1918

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 15A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.7V @ 15A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Nexperia USA Inc.

PMEG6002TV,115

Част запас: 116897

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 200mA (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 600mV @ 200mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

За желание

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS10100CTHMNG

Част запас: 164

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 10A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 950mV @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

ON Semiconductor

NRVBB20100CTT4G

Част запас: 51931

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 10A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 850mV @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

ON Semiconductor

SBAT54ALT3G

Част запас: 190167

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 200mA (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 800mV @ 100mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

За желание

Diodes Incorporated

MBRF10150CT-JT

Част запас: 122752

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 150V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 890mV @ 5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание