Диоди - Токоизправители - Масиви | Дискретни полупроводникови продукти | 100

RF1601NS2DFHTL

Част запас: 163

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 16A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 930mV @ 8A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Rohm Semiconductor

RB425DFHT146

Част запас: 116312

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 50mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 550mV @ 100mA, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS15100CT MNG

Част запас: 148

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 15A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 920mV @ 7.5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Taiwan Semiconductor Corporation

SRS1660HMNG

Част запас: 111

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 16A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 700mV @ 8A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Taiwan Semiconductor Corporation

HERF1008G C0G

Част запас: 164

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 10A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.7V @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR1050CT C0G

Част запас: 73

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 50V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 10A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 900mV @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Taiwan Semiconductor Corporation

UG1004GHC0G

Част запас: 112

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 10A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 950mV @ 5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Taiwan Semiconductor Corporation

SRF20100HC0G

Част запас: 121

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 20A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 920mV @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Taiwan Semiconductor Corporation

SR1660PTHC0G

Част запас: 119

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 16A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 700mV @ 8A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS20150CT-Y MNG

Част запас: 153

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 150V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 20A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 990mV @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS1090CT MNG

Част запас: 94

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 90V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 10A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 950mV @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Taiwan Semiconductor Corporation

SRF1090HC0G

Част запас: 131

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 90V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 10A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 900mV @ 5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Taiwan Semiconductor Corporation

UG1004G C0G

Част запас: 100

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 10A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 950mV @ 5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Taiwan Semiconductor Corporation

GP1607 C0G

Част запас: 141

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 16A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 8A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание

Taiwan Semiconductor Corporation

SRF2050 C0G

Част запас: 138

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 50V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 20A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 700mV @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Taiwan Semiconductor Corporation

SR20150 C0G

Част запас: 139

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 150V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 20A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Taiwan Semiconductor Corporation

SR2040 C0G

Част запас: 78

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 20A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 550mV @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS8P2CL-M3/86A

Част запас: 116820

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 20V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 4A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 540mV @ 4A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB4045CTRHM3

Част запас: 51216

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 45V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 20A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 600mV @ 20A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6CWQ06FNTRHM3

Част запас: 83406

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 3.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 610mV @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12CWQ10FNTRR-M3

Част запас: 179327

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 6A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 950mV @ 12A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB2090CTHM3

Част запас: 87641

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 90V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 10A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 800mV @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS8P6C-M3/87A

Част запас: 156747

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 60V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 4A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 700mV @ 4A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6CWQ10FNTRLHM3

Част запас: 81352

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 3.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 810mV @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40L40CW-N3

Част запас: 11518

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 20A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 530mV @ 20A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS8P3C-M3/87A

Част запас: 190422

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 4A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 580mV @ 4A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Vishay Semiconductor Diodes Division

V10KM120DU-M3/H

Част запас: 164483

Диодна конфигурация: 2 Independent, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 120V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 10A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 890mV @ 5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS12P4CHM3_A/H

Част запас: 156818

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 6A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 520mV @ 6A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB2080CTHM3

Част запас: 87595

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 80V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 10A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 800mV @ 10A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS10P3CLHM3_A/I

Част запас: 123071

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 530mV @ 5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Microsemi Corporation

MBR3045CTE3/TU

Част запас: 83378

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 45V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 15A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 700mV @ 15A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

STMicroelectronics

STTH602CBY-TR

Част запас: 175500

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

Toshiba Semiconductor and Storage

TBAV99,LM

Част запас: 196401

Диодна конфигурация: 1 Pair Series Connection, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 80V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 100mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.25V @ 150mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

За желание

Panasonic Electronic Components

DA37102D0L

Част запас: 124296

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Anode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 80V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 100mA (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 100mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

За желание

Nexperia USA Inc.

PMEG3020CPA,115

Част запас: 189780

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 30V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 2A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 440mV @ 2A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание

GeneSiC Semiconductor

MSRTA500120(A)

Част запас: 811

Диодна конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 500A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 500A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание