Транзистори - биполярни (BJT) - единични, предвари

DDTC142TU-7-F

Част запас: 160563

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 470 Ohms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

За желание

DDTC115GCA-7

Част запас: 3217

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа на емитер (R2): 100 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V,

За желание

DDTA144TCA-7

Част запас: 194982

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

За желание

DDTC114TE-7

Част запас: 2123

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

За желание

DDTC123JLP-7

Част запас: 2188

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 2.2 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 5V,

За желание

DDTA143TUA-7

Част запас: 2153

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

За желание

DDTA143XE-7

Част запас: 2210

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 10 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

За желание

DDTC114TCA-7-F

Част запас: 212

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

За желание

DDTA144WUA-7

Част запас: 2183

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 22 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 5V,

За желание

DDTA143XCA-7

Част запас: 2188

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 10 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

За желание

DDTA144VE-7

Част запас: 2150

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 10 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V,

За желание

DDTC114YUA-7

Част запас: 2197

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

За желание

DRA9123E0L

Част запас: 183530

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 2.2 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 2.2 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 6 @ 5mA, 10V,

За желание

DRA5152Z0L

Част запас: 146830

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 510 Ohms, Резистор - основа на емитер (R2): 5.1 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V,

За желание

DRA5114T0L

Част запас: 153704

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

За желание

DRA9A14Y0L

Част запас: 119139

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 80mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

За желание

DRA9123J0L

Част запас: 104608

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 2.2 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

За желание

DRA5115G0L

Част запас: 156866

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа на емитер (R2): 100 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

За желание

DRC2543E0L

Част запас: 150394

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 4.7 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 10V,

За желание

UNR32A600L

Част запас: 2232

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 80mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

За желание

DRC2114T0L

Част запас: 149582

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

За желание

DRA2533Q0L

Част запас: 190601

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 3.1 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 4.6 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 10V,

За желание

SMUN5111T1G

Част запас: 144379

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 10 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

За желание

FJN4309RBU

Част запас: 2303

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

За желание

NSBA144WF3T5G

Част запас: 125151

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 22 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

За желание

FJNS4214RBU

Част запас: 2268

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

За желание

FJN4313RBU

Част запас: 3261

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 2.2 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

За желание

FJN3302RBU

Част запас: 2296

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 10 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

За желание

PDTA123EE,115

Част запас: 2174

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 2.2 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 2.2 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V,

За желание

PDTC143XEF,115

Част запас: 2286

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 10 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

За желание

PDTC144WE,115

Част запас: 2179

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 22 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V,

За желание

PDTA143EE,115

Част запас: 2169

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 4.7 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

За желание