Menu
Български езикБългарски език
0Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Транзистори - биполярни (BJT) - единични, предвари

BCR503E6393HTSA1
Infineon Technologies

BCR503E6393HTSA1

Част запас: 1955

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 2.2 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 2.2 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V,

За желание
BCR183E6359HTMA1
Infineon Technologies

BCR183E6359HTMA1

Част запас: 1981

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 10 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

За желание
BCR192E6785HTSA1
Infineon Technologies

BCR192E6785HTSA1

Част запас: 1986

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

За желание
BCR148E6393HTSA1
Infineon Technologies

BCR148E6393HTSA1

Част запас: 2004

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

За желание
BCR135E6359HTMA1
Infineon Technologies

BCR135E6359HTMA1

Част запас: 1907

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

За желание
BCR133E6393HTSA1
Infineon Technologies

BCR133E6393HTSA1

Част запас: 3211

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 10 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

За желание
BCR 148W H6433
Infineon Technologies

BCR 148W H6433

Част запас: 1910

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

За желание
BCR 569 E6327
Infineon Technologies

BCR 569 E6327

Част запас: 1861

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 5V,

За желание
BCR 512 B6327
Infineon Technologies

BCR 512 B6327

Част запас: 1858

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 4.7 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V,

За желание
BCR 199T E6327
Infineon Technologies

BCR 199T E6327

Част запас: 1876

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 70mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

За желание
BCR 503 B6327
Infineon Technologies

BCR 503 B6327

Част запас: 1882

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 2.2 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 2.2 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V,

За желание
BCR 199F E6327
Infineon Technologies

BCR 199F E6327

Част запас: 1910

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 70mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

За желание
BCR 199L3 E6327
Infineon Technologies

BCR 199L3 E6327

Част запас: 1899

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 70mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

За желание
BCR198WE6327BTSA1
Infineon Technologies

BCR198WE6327BTSA1

Част запас: 1924

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

За желание
BCR 198F E6327
Infineon Technologies

BCR 198F E6327

Част запас: 1931

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

За желание
BCR 198L3 E6327
Infineon Technologies

BCR 198L3 E6327

Част запас: 1885

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 70mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

За желание
BCR196WE6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR196WE6327HTSA1

Част запас: 1922

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 70mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 22 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

За желание
BCR198B6327HTLA1
Infineon Technologies

BCR198B6327HTLA1

Част запас: 1860

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

За желание
BCR 196T E6327
Infineon Technologies

BCR 196T E6327

Част запас: 1855

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 70mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 22 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

За желание
BCR 196F E6327
Infineon Technologies

BCR 196F E6327

Част запас: 1930

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 70mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 22 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

За желание
BCR 196L3 E6327
Infineon Technologies

BCR 196L3 E6327

Част запас: 1883

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 70mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 22 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

За желание
BCR192WE6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR192WE6327HTSA1

Част запас: 1884

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

За желание
BCR 192T E6327
Infineon Technologies

BCR 192T E6327

Част запас: 1842

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

За желание
BCR 192F E6327
Infineon Technologies

BCR 192F E6327

Част запас: 1916

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

За желание
BCR 192L3 E6327
Infineon Technologies

BCR 192L3 E6327

Част запас: 1847

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

За желание
BCR 192 B6327
Infineon Technologies

BCR 192 B6327

Част запас: 1847

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

За желание
BCR191WE6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR191WE6327HTSA1

Част запас: 3227

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 22 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

За желание
BCR 191L3 E6327
Infineon Technologies

BCR 191L3 E6327

Част запас: 1904

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 22 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

За желание
BCR 191T E6327
Infineon Technologies

BCR 191T E6327

Част запас: 1869

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 22 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

За желание
BCR 189T E6327
Infineon Technologies

BCR 189T E6327

Част запас: 1877

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

За желание
BCR 191F E6327
Infineon Technologies

BCR 191F E6327

Част запас: 1883

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 22 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

За желание
BCR 189F E6327
Infineon Technologies

BCR 189F E6327

Част запас: 1898

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

За желание
BCR 189L3 E6327
Infineon Technologies

BCR 189L3 E6327

Част запас: 3268

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

За желание
BCR185WE6327BTSA1
Infineon Technologies

BCR185WE6327BTSA1

Част запас: 1845

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

За желание
BCR 185T E6327
Infineon Technologies

BCR 185T E6327

Част запас: 1848

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

За желание
BCR 185F E6327
Infineon Technologies

BCR 185F E6327

Част запас: 1892

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

За желание