Изходна конфигурация: Half Bridge (2), Приложения: Digital Imaging, Интерфейс: Logic, Тип натоварване: Capacitive and Resistive, Технология: Power MOSFET, Rds On (тип): 3 Ohm,
Изходна конфигурация: Half Bridge (2), Приложения: Digital Imaging, Интерфейс: Logic, Тип натоварване: Capacitive and Resistive, Технология: Power MOSFET, Rds On (тип): 3 Ohm,
Изходна конфигурация: Half Bridge (2), Приложения: DC Motors, General Purpose, Relays, Интерфейс: Logic, Тип натоварване: Inductive, Технология: Power MOSFET, Rds On (тип): 95 mOhm (Max),
Изходна конфигурация: Half Bridge (2), Приложения: DC Motors, General Purpose, Relays, Интерфейс: Logic, Тип натоварване: Inductive, Технология: Power MOSFET, Rds On (тип): 160 mOhm (Max),
Изходна конфигурация: Half Bridge, Приложения: General Purpose, Интерфейс: PWM, Тип натоварване: Inductive, Технология: Power MOSFET, Rds On (тип): 100 mOhm,