Транзистори - биполярни (BJT) - масиви

MPQ2484

Част запас: 12533

Тип транзистор: 4 NPN (Quad), Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 20nA (ICBO),

За желание

MD7003B

Част запас: 4476

Тип транзистор: 2 PNP (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 40 @ 100µA, 10V,

За желание

MPQ2369

Част запас: 10973

Тип транзистор: 4 NPN (Quad), Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 15V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 400nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 2V,

За желание

CMKT3904 TR

Част запас: 164378

Тип транзистор: 2 NPN (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

За желание

STMicroelectronics

L6221AD013TR

Част запас: 4421

Тип транзистор: 4 NPN Darlington (Quad), Ток - колектор (Ic) (макс.): 1.8A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 1.8A,

За желание

STMicroelectronics

ULN2068B

Част запас: 26053

Тип транзистор: 4 NPN Darlington (Quad), Ток - колектор (Ic) (макс.): 1.75A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.4V @ 2mA, 1.25A,

За желание

STMicroelectronics

STD845DN40

Част запас: 4505

Тип транзистор: 2 NPN (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 400V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 1A, 4A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 250µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 12 @ 2A, 5V,

За желание

CPH5504-TL-E

Част запас: 197322

Тип транзистор: 2 NPN (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 210mV @ 100mA, 2A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

За желание

NSS60100DMTTBG

Част запас: 164414

Тип транзистор: 2 PNP (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 1A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V,

За желание

CPH6538-TL-H

Част запас: 120549

Тип транзистор: 2 NPN (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 700mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 190mV @ 10mA, 200mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 300 @ 50mA, 2V,

За желание

FFB3906

Част запас: 188837

Тип транзистор: 2 PNP (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

За желание

NSVT45010MW6T1G

Част запас: 147625

Тип транзистор: 2 PNP (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 45V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 15nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V,

За желание

ULN2003V12T16-13

Част запас: 155544

Тип транзистор: 7 NPN Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 50µA,

За желание

ZXTD4591AM832TA

Част запас: 6458

Тип транзистор: NPN, PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 2A, 1.5A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V / 300 @ 100mA, 5V,

За желание

MMDT4413-7-F

Част запас: 144827

Тип транзистор: NPN, PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V / 100 @ 150mA, 2V,

За желание

ZDT6790TC

Част запас: 4397

Тип транзистор: NPN, PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 45V, 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 1A / 750mV @ 50mA, 2A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 400 @ 1A, 2V / 300 @ 10mA, 2V,

За желание

ZDT690TC

Част запас: 4459

Тип транзистор: 2 NPN (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 45V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 1A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 400 @ 1A, 2V,

За желание

DN0150ADJ-7

Част запас: 192795

Тип транзистор: 2 NPN (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

За желание

ZXTDC3M832TA

Част запас: 4621

Тип транзистор: NPN, PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 4A, 3A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A / 370mV @ 250mA, 2.5A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 25nA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V / 60 @ 1.5A, 2V,

За желание

ZDT6758TC

Част запас: 4490

Тип транзистор: NPN, PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 400V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 10V,

За желание