Menu
Български езикБългарски език
Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Диоди - ценерови - масиви

DZ3S062D0L
Panasonic Electronic Components

DZ3S062D0L

Част запас: 112918

Конфигурация: 1 Pair Common Anode, Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 6.2V, Мощност - Макс: 150mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 50 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 200nA @ 4V,

За желание
DZ4J240K0R
Panasonic Electronic Components

DZ4J240K0R

Част запас: 121989

Конфигурация: 2 Independent, Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 24V, Толерантност: ±5%, Мощност - Макс: 200mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 100 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 50nA @ 19V,

За желание
DZ4J200K0R
Panasonic Electronic Components

DZ4J200K0R

Част запас: 187103

Конфигурация: 2 Independent, Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 20V, Толерантност: ±5%, Мощност - Макс: 200mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 50nA @ 15V,

За желание
DZ3S056D0L
Panasonic Electronic Components

DZ3S056D0L

Част запас: 187119

Конфигурация: 1 Pair Common Anode, Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 5.6V, Толерантност: ±5%, Мощност - Макс: 150mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 40 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 500nA @ 2.5V,

За желание
DZ37120D0L
Panasonic Electronic Components

DZ37120D0L

Част запас: 118807

Конфигурация: 1 Pair Common Anode, Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 12V, Мощност - Макс: 150mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 50nA @ 7V,

За желание
DZ23C22-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

DZ23C22-G3-08

Част запас: 100497

Конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 22V, Толерантност: ±5%, Мощност - Макс: 300mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 55 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 100nA @ 17V,

За желание
DZ23C9V1-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

DZ23C9V1-HE3-18

Част запас: 180458

Конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 9.1V, Толерантност: ±5%, Мощност - Макс: 300mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 10 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 100nA @ 7V,

За желание
DZ23C12-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

DZ23C12-HE3-08

Част запас: 145889

Конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 12V, Толерантност: ±5%, Мощност - Макс: 300mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 20 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 100nA @ 9V,

За желание
DZ23C36-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

DZ23C36-HE3-18

Част запас: 167967

Конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 36V, Толерантност: ±5%, Мощност - Макс: 300mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 90 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 100nA @ 27V,

За желание
DZ23C24-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

DZ23C24-G3-18

Част запас: 111978

Конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 24V, Толерантност: ±5%, Мощност - Макс: 300mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 100nA @ 18V,

За желание
DZ23C5V1-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

DZ23C5V1-G3-08

Част запас: 111531

Конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 5.1V, Толерантност: ±5%, Мощност - Макс: 300mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 60 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 100nA @ 800mV,

За желание
DZ23C16-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

DZ23C16-G3-18

Част запас: 171079

Конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 16V, Толерантност: ±5%, Мощност - Макс: 300mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 40 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 100nA @ 12V,

За желание
DZ23C18-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

DZ23C18-E3-18

Част запас: 101550

Конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 18V, Толерантност: ±5%, Мощност - Макс: 300mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 50 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 100nA @ 14V,

За желание
DZ23C2V7-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

DZ23C2V7-G3-18

Част запас: 102163

Конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 2.7V, Толерантност: ±5%, Мощност - Макс: 300mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 83 Ohms,

За желание
DZ23C6V2-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

DZ23C6V2-G3-18

Част запас: 179588

Конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 6.2V, Толерантност: ±5%, Мощност - Макс: 300mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 10 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 100nA @ 2V,

За желание
DZ23C4V3-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

DZ23C4V3-E3-18

Част запас: 116632

Конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 4.3V, Толерантност: ±5%, Мощност - Макс: 300mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 95 Ohms,

За желание
DZ23C5V6-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

DZ23C5V6-G3-08

Част запас: 172386

Конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 5.6V, Толерантност: ±5%, Мощност - Макс: 300mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 40 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 100nA @ 1V,

За желание
DZ23C39-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

DZ23C39-HE3-08

Част запас: 125859

Конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 39V, Толерантност: ±5%, Мощност - Макс: 300mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 90 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 100nA @ 29V,

За желание
DZ23C39-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

DZ23C39-HE3-18

Част запас: 151997

Конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 39V, Толерантност: ±5%, Мощност - Макс: 300mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 90 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 100nA @ 28V,

За желание
PZU4.7DB2,115
Nexperia USA Inc.

PZU4.7DB2,115

Част запас: 1249

Конфигурация: 2 Independent, Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 4.7V, Толерантност: ±2%, Мощност - Макс: 250mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 2µA @ 2V,

За желание
PZU11DB2,115
Nexperia USA Inc.

PZU11DB2,115

Част запас: 1199

Конфигурация: 2 Independent, Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 11V, Толерантност: ±2%, Мощност - Макс: 250mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 10 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 100nA @ 8V,

За желание
PZU20DB2,115
Nexperia USA Inc.

PZU20DB2,115

Част запас: 1257

Конфигурация: 2 Independent, Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 20V, Толерантност: ±2%, Мощност - Макс: 250mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 20 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 50nA @ 15V,

За желание
PLVA2668A,215
Nexperia USA Inc.

PLVA2668A,215

Част запас: 112900

Конфигурация: 1 Pair Common Anode, Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 6.8V, Мощност - Макс: 250mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 100 Ohms,

За желание
QZX363C15-7-F
Diodes Incorporated

QZX363C15-7-F

Част запас: 144580

Конфигурация: 2 Pair Common Anode, Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 15V, Толерантност: ±5%, Мощност - Макс: 200mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 100nA @ 10.5V,

За желание
MMBZ5235BTS-7-F
Diodes Incorporated

MMBZ5235BTS-7-F

Част запас: 118753

Конфигурация: 3 Independent, Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 6.8V, Толерантност: ±5%, Мощност - Макс: 200mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 5 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 3µA @ 5V,

За желание
MMBZ5227BS-7-F
Diodes Incorporated

MMBZ5227BS-7-F

Част запас: 167

Конфигурация: 2 Independent, Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 3.6V, Толерантност: ±5%, Мощност - Макс: 200mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 24 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 15µA @ 1V,

За желание
MMBZ5252BS-7
Diodes Incorporated

MMBZ5252BS-7

Част запас: 1208

Конфигурация: 2 Independent, Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 24V, Толерантност: ±5%, Мощност - Макс: 200mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 33 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 100nA @ 18V,

За желание
DZ23C30-7-F
Diodes Incorporated

DZ23C30-7-F

Част запас: 194148

Конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 30V, Толерантност: ±5%, Мощност - Макс: 300mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms,

За желание
MMBZ5221BTS-7-F
Diodes Incorporated

MMBZ5221BTS-7-F

Част запас: 186906

Конфигурация: 3 Independent, Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 2.4V, Толерантност: ±5%, Мощност - Макс: 200mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 100µA @ 1V,

За желание
MMBZ5237BTS-7-F
Diodes Incorporated

MMBZ5237BTS-7-F

Част запас: 159869

Конфигурация: 3 Independent, Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 8.2V, Толерантност: ±5%, Мощност - Макс: 200mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 8 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 3µA @ 6.5V,

За желание
EMZ6.8ET2R
Rohm Semiconductor

EMZ6.8ET2R

Част запас: 144386

Конфигурация: 2 Pair Common Anode, Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 6.8V, Мощност - Макс: 150mW, Ток - обратен теч @ Vr: 500nA @ 3.5V,

За желание
UMZ12NT106
Rohm Semiconductor

UMZ12NT106

Част запас: 151275

Конфигурация: 1 Pair Common Anode, Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 12V, Толерантност: ±8%, Мощност - Макс: 200mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 100nA @ 9V,

За желание
SZMMBZ47VALT1G
ON Semiconductor

SZMMBZ47VALT1G

Част запас: 103276

Конфигурация: 1 Pair Common Anode, Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 38V, Толерантност: ±5%, Мощност - Макс: 225mW, Ток - обратен теч @ Vr: 50nA @ 38V,

За желание
DZ23C39-TP
Micro Commercial Co

DZ23C39-TP

Част запас: 113118

Конфигурация: 1 Pair Common Cathode, Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 39V, Толерантност: ±5%, Мощност - Макс: 30mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 90 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 100nA @ 29V,

За желание
CMSZDA5V1 TR
Central Semiconductor Corp

CMSZDA5V1 TR

Част запас: 102542

Конфигурация: 1 Pair Common Anode, Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 5.1V, Толерантност: ±5%, Мощност - Макс: 275mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 60 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 2µA @ 2V,

За желание
CMLZDA3V3 BK
Central Semiconductor Corp

CMLZDA3V3 BK

Част запас: 3135

Конфигурация: 1 Pair Common Anode, Напрежение - ценерови (Nom) (Vz): 3.3V, Толерантност: ±6.06%, Мощност - Макс: 250mW, Импеданс (макс.) (Zzt): 95 Ohms, Ток - обратен теч @ Vr: 5µA @ 1V,

За желание