Транзистори - биполярни (BJT) - масиви, предварите

XN0121400L

Част запас: 1463

Тип транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

За желание

UP0331200L

Част запас: 1401

Тип транзистор: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 22 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

За желание

UP0431100L

Част запас: 1391

Тип транзистор: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 10 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

За желание

XN0121600L

Част запас: 1436

Тип транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

За желание

DMC264010R

Част запас: 104219

Тип транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 10 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

За желание

NP043A300A

Част запас: 1509

Тип транзистор: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 80mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

За желание

XP0111400L

Част запас: 137234

Тип транзистор: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

За желание

DMG564050R

Част запас: 114333

Тип транзистор: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

За желание

DMC564000R

Част запас: 147505

Тип транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

За желание

XN0F26100L

Част запас: 1476

Тип транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 20V, Резистор - основа (R1): 3.3 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V,

За желание

XN0121500L

Част запас: 1456

Тип транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

За желание

XP0421500L

Част запас: 106511

Тип транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

За желание

XN0421000L

Част запас: 3141

Тип транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

За желание

Rohm Semiconductor

UMD4NTR

Част запас: 139055

Тип транзистор: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, 10 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

За желание

Rohm Semiconductor

UMH7NTR

Част запас: 166319

Тип транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

За желание

RN1910FE(T5L,F,T)

Част запас: 1466

Тип транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

За желание

RN4905T5LFT

Част запас: 3212

Тип транзистор: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 2.2 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

За желание

RN4904(T5L,F,T)

Част запас: 1532

Тип транзистор: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

За желание

RN1501(TE85L,F)

Част запас: 179912

Тип транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 4.7 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

За желание

RN2971(TE85L,F)

Част запас: 187083

Тип транзистор: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

За желание

RN4610(TE85L,F)

Част запас: 196797

Тип транзистор: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

За желание

RN4990(T5L,F,T)

Част запас: 196989

Тип транзистор: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

За желание

RN1909(T5L,F,T)

Част запас: 1368

Тип транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 22 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

За желание

ON Semiconductor

MUN5332DW1T1

Част запас: 1515

Тип транзистор: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 4.7 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

За желание

ON Semiconductor

SMUN5233DW1T1G

Част запас: 139425

Тип транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

За желание

ON Semiconductor

SMUN5313DW1T1G

Част запас: 106685

Тип транзистор: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

За желание

Diodes Incorporated

DCX114TU-7-F

Част запас: 152977

Тип транзистор: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

За желание

Diodes Incorporated

DIMD10A-7

Част запас: 110378

Тип транзистор: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, 100 Ohms, Резистор - основа на емитер (R2): 10 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

За желание

Diodes Incorporated

UMC4NQ-7

Част запас: 189936

Тип транзистор: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, 10 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, 47 kOhms,

За желание

PBLS4003D,115

Част запас: 164626

Тип транзистор: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, 700mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, 40V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 10 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 300 @ 100mA, 5V,

За желание

PBLS4005Y,115

Част запас: 199204

Тип транзистор: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, 40V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V,

За желание

PUMD9,115

Част запас: 126189

Тип транзистор: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V,

За желание

PRMH11Z

Част запас: 116135

Тип транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 10 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

За желание

PUMD4,115

Част запас: 188253

Тип транзистор: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V,

За желание