Транзистори - биполярни (BJT) - масиви, предварите

DDC142JU-7-F

Част запас: 185894

Тип транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 470 Ohms, Резистор - основа на емитер (R2): 10 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 5V,

За желание

DDC123JU-7-F

Част запас: 148996

Тип транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 2.2 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

За желание

DDC124EU-7-F

Част запас: 160407

Тип транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 22 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

За желание

DCX114EU-7-F

Част запас: 127928

Тип транзистор: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 10 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

За желание

EMD4DXV6T1G

Част запас: 138481

Тип транзистор: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, 10 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

За желание

NSBC113EDXV6T5

Част запас: 1490

Тип транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 1 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 1 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

За желание

NSBC143TPDXV6T1G

Част запас: 190887

Тип транзистор: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

За желание

NSBC114YDXV6T1G

Част запас: 163781

Тип транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

За желание

MUN5237DW1T1

Част запас: 1518

Тип транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 22 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

За желание

MUN5335DW1T2G

Част запас: 164842

Тип транзистор: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 2.2 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

За желание

NSVB114YPDXV6T1G

Част запас: 116749

Тип транзистор: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

За желание

SMUN5115DW1T1G

Част запас: 128974

Тип транзистор: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

За желание

NSBC124XPDXV6T1G

Част запас: 1461

Тип транзистор: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

За желание

NSVBC114EPDXV6T1G

Част запас: 131643

Тип транзистор: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 10 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

За желание

MUN5312DW1T1

Част запас: 1526

Тип транзистор: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 22 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

За желание

EMH6T2R

Част запас: 192288

Тип транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

За желание

UMH6NTR

Част запас: 126310

Тип транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

За желание

EMB11FHAT2R

Част запас: 21610

Тип транзистор: 2 PNP Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 10 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

За желание

UMH14NTR

Част запас: 164095

Тип транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

За желание

EMF24T2R

Част запас: 120332

Тип транзистор: 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, 150mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 10 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 180 @ 1mA, 6V,

За желание

IMH1AT110

Част запас: 134484

Тип транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 22 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

За желание

UMB9NTN

Част запас: 166683

Тип транзистор: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

За желание

FMC3AT148

Част запас: 100804

Тип транзистор: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 10 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

За желание

UMB1NTN

Част запас: 179097

Тип транзистор: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 22 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

За желание

Nexperia USA Inc.

PRMD10Z

Част запас: 154570

Тип транзистор: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 2.2 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

За желание

Nexperia USA Inc.

PIMD2,125

Част запас: 162156

Тип транзистор: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 22 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V,

За желание

NXP USA Inc.

PBLS4004V,115

Част запас: 1464

Тип транзистор: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, 40V, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 22 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V,

За желание

DMC964060R

Част запас: 193649

Тип транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

За желание

XP0431400L

Част запас: 1436

Тип транзистор: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

За желание

NP061A300A

Част запас: 1444

Тип транзистор: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 80mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

За желание

XP0111H00L

Част запас: 1404

Тип транзистор: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 2.2 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 10 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V,

За желание

XP0431100L

Част запас: 116530

Тип транзистор: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 10 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

За желание