Транзистори - FET, MOSFET - масиви

SI5517DU-T1-E3

Част запас: 2805

FET тип: N and P-Channel, Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 4.4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

За желание

SI4544DY-T1-GE3

Част запас: 2824

FET тип: N and P-Channel, Common Drain, Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 6.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

За желание

SI4210DY-T1-GE3

Част запас: 124384

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 6.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35.5 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

За желание

SI5903DC-T1-E3

Част запас: 2754

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 2.1A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 2.1A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min),

За желание

SI6966DQ-T1-GE3

Част запас: 2838

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA,

За желание

SI1553DL-T1-GE3

Част запас: 2851

FET тип: N and P-Channel, Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 660mA, 410mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385 mOhm @ 660mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min),

За желание

NTGD3149CT1G

Част запас: 2762

FET тип: N and P-Channel, Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 3.2A, 2.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 3.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

За желание

FDMJ1023PZ

Част запас: 2762

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 2.9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

За желание

SI9955DY

Част запас: 2721

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 50V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

За желание

FW907-TL-E

Част запас: 2854

FET тип: N and P-Channel, Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 10A, 8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 10A, 10V,

За желание

NTJD4001NT2G

Част запас: 2721

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 250mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA,

За желание

NTHD4502NT1

Част запас: 2711

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 2.2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 2.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

За желание

FDR8508P

Част запас: 2666

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

За желание

FW707-TL-E

Част запас: 2866

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 8A, 10V,

За желание

FDW2510NZ

Част запас: 2700

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 6.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 6.4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

За желание

FDS8333C

Част запас: 2682

FET тип: N and P-Channel, Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 4.1A, 3.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 4.1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

За желание

IRF7342QTRPBF

Част запас: 2806

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 55V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 3.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

За желание

IRF5852TR

Част запас: 2705

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 2.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA,

За желание

IRF7316TR

Част запас: 2982

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 4.9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 4.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

За желание

IRF9358PBF

Част запас: 57753

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 9.2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3 mOhm @ 9.2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA,

За желание

IRF7757TR

Част запас: 2666

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 4.8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 4.8A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

За желание

IRF7351PBF

Част запас: 40500

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.8 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA,

За желание