Menu
Български езикБългарски език
Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Транзистори - FET, MOSFET - масиви

FDS8926A
ON Semiconductor

FDS8926A

Част запас: 2702

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 5.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 5.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

За желание
FDW2502P
ON Semiconductor

FDW2502P

Част запас: 2769

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 4.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 4.4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

За желание
FDW2508P
ON Semiconductor

FDW2508P

Част запас: 2776

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 12V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

За желание
FDD8424H-F085A
ON Semiconductor

FDD8424H-F085A

Част запас: 2940

FET тип: N and P-Channel, Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 9A, 6.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

За желание
EFC6612R-A-TF
ON Semiconductor

EFC6612R-A-TF

Част запас: 2936

FET тип: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Функция FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive,

За желание
ECH8652-TL-H
ON Semiconductor

ECH8652-TL-H

Част запас: 2893

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 12V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 3A, 4.5V,

За желание
NTHD4102PT3G
ON Semiconductor

NTHD4102PT3G

Част запас: 2764

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 2.9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

За желание
SI9936DY
ON Semiconductor

SI9936DY

Част запас: 2776

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

За желание
NDC7002N_SB9G007
ON Semiconductor

NDC7002N_SB9G007

Част запас: 2756

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 50V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 510mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 510mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

За желание
FW906-TL-E
ON Semiconductor

FW906-TL-E

Част запас: 2911

FET тип: N and P-Channel, Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 8A, 6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 8A, 10V,

За желание
VEC2315-TL-H
ON Semiconductor

VEC2315-TL-H

Част запас: 2838

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 2.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 137 mOhm @ 1.5A, 10V,

За желание
SI3951DV-T1-E3
Vishay Siliconix

SI3951DV-T1-E3

Част запас: 2720

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 2.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

За желание
VQ1001P
Vishay Siliconix

VQ1001P

Част запас: 2888

FET тип: 4 N-Channel, Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 830mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75 Ohm @ 200mA, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

За желание
SI6955ADQ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI6955ADQ-T1-GE3

Част запас: 3376

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 2.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

За желание
SI7983DP-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7983DP-T1-E3

Част запас: 2716

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 7.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 12A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 600µA,

За желание
SI8904EDB-T2-E1
Vishay Siliconix

SI8904EDB-T2-E1

Част запас: 2770

FET тип: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 3.8A, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA,

За желание
SI4511DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4511DY-T1-GE3

Част запас: 2835

FET тип: N and P-Channel, Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 7.2A, 4.6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5 mOhm @ 9.6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA,

За желание
TPC8207(TE12L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8207(TE12L,Q)

Част запас: 2742

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 4.8A, 4V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 200µA,

За желание
IRF9389PBF
Infineon Technologies

IRF9389PBF

Част запас: 2968

FET тип: N and P-Channel, Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 6.8A, 4.6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 6.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 10µA,

За желание
IRF7530PBF
Infineon Technologies

IRF7530PBF

Част запас: 3352

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 5.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 5.4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

За желание
IRF7103QTRPBF
Infineon Technologies

IRF7103QTRPBF

Част запас: 2795

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 50V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

За желание
IPG20N06S3L-23
Infineon Technologies

IPG20N06S3L-23

Част запас: 2870

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 55V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 20A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 16A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA,

За желание
IRF5851
Infineon Technologies

IRF5851

Част запас: 2672

FET тип: N and P-Channel, Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 2.7A, 2.2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA,

За желание
IRF8910GPBF
Infineon Technologies

IRF8910GPBF

Част запас: 2804

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 10A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA,

За желание
IRF7905PBF
Infineon Technologies

IRF7905PBF

Част запас: 2764

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 7.8A, 8.9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.8 mOhm @ 7.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA,

За желание
IRF7307TRPBF
Infineon Technologies

IRF7307TRPBF

Част запас: 191316

FET тип: N and P-Channel, Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 5.2A, 4.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.6A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA,

За желание
PMWD19UN,518
NXP USA Inc.

PMWD19UN,518

Част запас: 2726

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 5.6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 3.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 1mA,

За желание
PMWD26UN,518
NXP USA Inc.

PMWD26UN,518

Част запас: 2668

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 7.8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 3.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 1mA,

За желание
PMWD30UN,518
NXP USA Inc.

PMWD30UN,518

Част запас: 2661

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 3.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 1mA,

За желание
SP8K2FU6TB
Rohm Semiconductor

SP8K2FU6TB

Част запас: 118884

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

За желание
MP6K12TCR
Rohm Semiconductor

MP6K12TCR

Част запас: 2916

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

За желание
ZXMC3A17DN8TC
Diodes Incorporated

ZXMC3A17DN8TC

Част запас: 2756

FET тип: N and P-Channel, Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 4.1A, 3.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 7.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

За желание
DI9942T
Diodes Incorporated

DI9942T

Част запас: 2655

FET тип: N and P-Channel, Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 2.5A,

За желание
HAT2038R-EL-E
Renesas Electronics America

HAT2038R-EL-E

Част запас: 2697

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA,

За желание
EPC2106
EPC

EPC2106

Част запас: 24307

FET тип: 2 N-Channel (Half Bridge), Функция FET: GaNFET (Gallium Nitride), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 1.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 2A, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA,

За желание
NX7002AKS,115
Nexperia USA Inc.

NX7002AKS,115

Част запас: 122168

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 170mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 Ohm @ 100mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA,

За желание