Menu
Български езикБългарски език
Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Диоди - Изправители - единични

1N5397-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5397-E3/54

Част запас: 147448

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.4V @ 1.5A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 2µs,

За желание
1N5393-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5393-E3/73

Част запас: 193566

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.4V @ 1.5A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 2µs,

За желание
1N4936-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4936-E3/73

Част запас: 101431

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 200ns,

За желание
1N4004E-E3/53
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4004E-E3/53

Част запас: 193977

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание
1N4002E-E3/53
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4002E-E3/53

Част запас: 143911

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание
1N4936-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4936-E3/54

Част запас: 112560

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 200ns,

За желание
1N5391-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5391-E3/54

Част запас: 193597

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 50V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.4V @ 1.5A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 2µs,

За желание
1N5392-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5392-E3/73

Част запас: 155547

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.4V @ 1.5A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 2µs,

За желание
1N5393-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5393-E3/54

Част запас: 194944

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.4V @ 1.5A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 2µs,

За желание
1N4003E-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4003E-E3/54

Част запас: 184559

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание
1N4005E-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4005E-E3/73

Част запас: 171349

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание
1N4933-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4933-E3/73

Част запас: 180622

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 50V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 200ns,

За желание
1N5391-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5391-E3/73

Част запас: 195208

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 50V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.4V @ 1.5A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 2µs,

За желание
1N4006-E3/53
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4006-E3/53

Част запас: 124354

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 800V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание
1N4005E-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4005E-E3/54

Част запас: 120866

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание
1N4003-E3/53
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4003-E3/53

Част запас: 185342

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание
1N4002E-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4002E-E3/73

Част запас: 198381

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание
1N4001E-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4001E-E3/54

Част запас: 164948

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 50V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание
1N5395-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5395-E3/73

Част запас: 126201

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.4V @ 1.5A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 2µs,

За желание
1N1184A
GeneSiC Semiconductor

1N1184A

Част запас: 11180

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 40A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 40A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание
1N5402GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N5402GHR0G

Част запас: 186

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 3A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание
1N5393GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N5393GHR0G

Част запас: 200

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 1.5A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание
1N5406GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N5406GHR0G

Част запас: 130

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 3A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание
1N5391G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N5391G R0G

Част запас: 162

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 50V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 1.5A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание
1N5391GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N5391GHR0G

Част запас: 128

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 50V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 1.5A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание
1N5392G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N5392G R0G

Част запас: 120

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 1.5A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание
1N5397GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N5397GHR0G

Част запас: 186

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 1.5A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание
1N5399G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N5399G R0G

Част запас: 122

Тип диод: Standard, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 1.5A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание
1N5400GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N5400GHR0G

Част запас: 184

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 50V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 3A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание
1N5393G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N5393G R0G

Част запас: 140

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 1.5A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание
1N5398GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N5398GHR0G

Част запас: 192

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 800V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 1.5A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание
1N5392GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N5392GHR0G

Част запас: 134

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 1.5A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание
1N5404GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N5404GHR0G

Част запас: 192

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 3A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание
1N5397G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N5397G R0G

Част запас: 161

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 1.5A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание
1N5395G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N5395G R0G

Част запас: 131

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 1.5A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание
1N5401GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

1N5401GHR0G

Част запас: 202

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 3A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание