Menu
Български езикБългарски език
Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Диоди - Изправители - единични

1N4586GP-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4586GP-E3/54

Част запас: 168864

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 2µs,

За желание
1N4595R
GeneSiC Semiconductor

1N4595R

Част запас: 2917

Тип диод: Standard, Reverse Polarity, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io): 150A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.5V @ 150A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание
1N6098
GeneSiC Semiconductor

1N6098

Част запас: 4336

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Ток - средно коригиран (Io): 50A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 700mV @ 50A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
1N3889
GeneSiC Semiconductor

1N3889

Част запас: 12061

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 50V, Ток - средно коригиран (Io): 12A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.4V @ 12A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 200ns,

За желание
1N3893R
GeneSiC Semiconductor

1N3893R

Част запас: 9557

Тип диод: Standard, Reverse Polarity, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 12A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.4V @ 12A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 200ns,

За желание
1N1188R
GeneSiC Semiconductor

1N1188R

Част запас: 14337

Тип диод: Standard, Reverse Polarity, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 35A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 35A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание
1N2131AR
GeneSiC Semiconductor

1N2131AR

Част запас: 7092

Тип диод: Standard, Reverse Polarity, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 60A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 60A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание
1N1200A
GeneSiC Semiconductor

1N1200A

Част запас: 15967

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 12A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 12A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание
1N1190AR
GeneSiC Semiconductor

1N1190AR

Част запас: 10679

Тип диод: Standard, Reverse Polarity, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 40A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 40A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание
1N1190A
GeneSiC Semiconductor

1N1190A

Част запас: 11089

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 40A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 40A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание
1N2138AR
GeneSiC Semiconductor

1N2138AR

Част запас: 7743

Тип диод: Standard, Reverse Polarity, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 60A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 60A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание
1N5553US
Microsemi Corporation

1N5553US

Част запас: 5530

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 800V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 9A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 2µs,

За желание
1N4150-1
Microsemi Corporation

1N4150-1

Част запас: 35775

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 50V, Ток - средно коригиран (Io): 200mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 200mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време за обратно възстановяване (trr): 4ns,

За желание
1N5553
Microsemi Corporation

1N5553

Част запас: 6439

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 800V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 9A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 2µs,

За желание
1N6640US
Microsemi Corporation

1N6640US

Част запас: 6262

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 75V, Ток - средно коригиран (Io): 300mA (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 200mA, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 4ns,

За желание
1N6622
Microsemi Corporation

1N6622

Част запас: 5407

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 1.2A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.4V @ 1.2A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 45ns,

За желание
1N5804US
Microsemi Corporation

1N5804US

Част запас: 6351

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 875mV @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 25ns,

За желание
1N5552
Microsemi Corporation

1N5552

Част запас: 6290

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 9A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 2µs,

За желание
1N6080
Microsemi Corporation

1N6080

Част запас: 1677

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 2A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.5V @ 37.7A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 30ns,

За желание
1N3595US
Microsemi Corporation

1N3595US

Част запас: 5411

Тип диод: Standard, Ток - средно коригиран (Io): 4A (DC), Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 200mA, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 3µs,

За желание
1N5616US
Microsemi Corporation

1N5616US

Част запас: 8604

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 3A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 2µs,

За желание
1N3611
Microsemi Corporation

1N3611

Част запас: 7627

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.1V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание
1N5619US
Microsemi Corporation

1N5619US

Част запас: 6582

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.6V @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 250ns,

За желание
1N914UR
Microsemi Corporation

1N914UR

Част запас: 24811

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 75V, Ток - средно коригиран (Io): 200mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 50mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време за обратно възстановяване (trr): 20ns,

За желание
1N5619
Microsemi Corporation

1N5619

Част запас: 9843

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.6V @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 250ns,

За желание
1N5416US
Microsemi Corporation

1N5416US

Част запас: 5319

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.5V @ 9A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 150ns,

За желание
1N5807
Microsemi Corporation

1N5807

Част запас: 6580

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 50V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 875mV @ 4A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 30ns,

За желание
1N5554
Microsemi Corporation

1N5554

Част запас: 6400

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 9A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 2µs,

За желание
1N5711-1
Microsemi Corporation

1N5711-1

Част запас: 7979

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 70V, Ток - средно коригиран (Io): 33mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 15mA, Скорост: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

За желание
1N5620
Microsemi Corporation

1N5620

Част запас: 10754

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 800V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 3A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 2µs,

За желание
1N5550
Microsemi Corporation

1N5550

Част запас: 7965

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 9A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 2µs,

За желание
1N5822US
Microsemi Corporation

1N5822US

Част запас: 643

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 500mV @ 3A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
1C5819.T
SMC Diode Solutions

1C5819.T

Част запас: 90011

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 20V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 450mV @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
1C5822.T
SMC Diode Solutions

1C5822.T

Част запас: 90043

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 700mV @ 9.4A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание
1N3647
Semtech Corporation

1N3647

Част запас: 7939

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 3000V, Ток - средно коригиран (Io): 600mA, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 5V @ 250mA, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 2.5µs,

За желание
1N5819HW-13
Diodes Incorporated

1N5819HW-13

Част запас: 2626

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 40V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 750mV @ 3A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание