Menu
Български езикБългарски език
Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Диоди - Изправители - единични

1N5625GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5625GPHE3/54

Част запас: 996

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 3A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 3A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 3µs,

За желание
1N5621GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5621GPHE3/54

Част запас: 5104

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 800V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 300ns,

За желание
1N5623GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5623GPHE3/54

Част запас: 977

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 500ns,

За желание
1N5620GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5620GPHE3/54

Част запас: 992

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 800V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 2µs,

За желание
1N5618GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5618GPHE3/54

Част запас: 919

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 2µs,

За желание
1N5619GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5619GPHE3/54

Част запас: 995

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 250ns,

За желание
1N5615GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5615GPHE3/54

Част запас: 5128

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 150ns,

За желание
1N5617GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5617GPHE3/54

Част запас: 954

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 150ns,

За желание
1N5399GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5399GPHE3/54

Част запас: 960

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.4V @ 1.5A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 2µs,

За желание
1N5614GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5614GPHE3/54

Част запас: 985

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 2µs,

За желание
1N5397GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5397GPHE3/54

Част запас: 961

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.4V @ 1.5A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 2µs,

За желание
1N5398GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5398GPHE3/54

Част запас: 948

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 800V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.4V @ 1.5A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 2µs,

За желание
1N5393GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5393GPHE3/54

Част запас: 898

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.4V @ 1.5A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 2µs,

За желание
1N5395GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5395GPHE3/54

Част запас: 948

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.4V @ 1.5A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 2µs,

За желание
1N5391GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5391GPHE3/54

Част запас: 951

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 50V, Ток - средно коригиран (Io): 1.5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.4V @ 1.5A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 2µs,

За желание
1N5062GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5062GPHE3/54

Част запас: 973

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 800V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 2µs,

За желание
1N5061GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5061GPHE3/54

Част запас: 911

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 2µs,

За желание
1N5059GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5059GPHE3/54

Част запас: 906

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 2µs,

За желание
1N5060GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5060GPHE3/54

Част запас: 5137

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 2µs,

За желание
1N4948GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4948GPHE3/54

Част запас: 970

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 500ns,

За желание
1N4947GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4947GPHE3/54

Част запас: 927

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 800V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 250ns,

За желание
1N4944GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4944GPHE3/54

Част запас: 5160

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 150ns,

За желание
1N4946GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4946GPHE3/54

Част запас: 904

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.3V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 250ns,

За желание
1N4936GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4936GPHE3/54

Част запас: 893

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 200ns,

За желание
1N4937GPEHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4937GPEHE3/54

Част запас: 898

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 200ns,

За желание
1N4934GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4934GPHE3/54

Част запас: 964

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 200ns,

За желание
1N4935GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4935GPHE3/54

Част запас: 978

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 200ns,

За желание
1N4934GPEHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4934GPEHE3/54

Част запас: 970

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 100V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 200ns,

За желание
1N4933GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4933GPHE3/54

Част запас: 929

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 50V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 1A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 200ns,

За желание
1N4586GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4586GPHE3/54

Част запас: 940

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 2µs,

За желание
1N4385GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4385GPHE3/54

Част запас: 919

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 2µs,

За желание
1N4384GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4384GPHE3/54

Част запас: 989

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 400V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 2µs,

За желание
1N4383GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4383GPHE3/54

Част запас: 892

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 200V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Време за обратно възстановяване (trr): 2µs,

За желание
1N4249GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4249GPHE3/54

Част запас: 928

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1000V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание
1N4248GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4248GPHE3/54

Част запас: 966

Тип диод: Standard, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 800V, Ток - средно коригиран (Io): 1A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.2V @ 1A, Скорост: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

За желание
1N6700US
Microsemi Corporation

1N6700US

Част запас: 2695

Тип диод: Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 20V, Ток - средно коригиран (Io): 5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 470mV @ 5A, Скорост: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

За желание