Menu
Български езикБългарски език
0Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Транзистори - IGBT - единични

IRG8CH137K10F
Infineon Technologies

IRG8CH137K10F

Част запас: 3631

Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 150A, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 150A,

За желание
IGC27T120T8LX1SA2
Infineon Technologies

IGC27T120T8LX1SA2

Част запас: 116

IGBT тип: Trench Field Stop, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор импулсен (Icm): 75A, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.07V @ 15V, 25A,

За желание
IRG8CH97K10F
Infineon Technologies

IRG8CH97K10F

Част запас: 4862

Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A,

За желание
IGC18T120T8QX1SA1
Infineon Technologies

IGC18T120T8QX1SA1

Част запас: 154

IGBT тип: Trench Field Stop, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор импулсен (Icm): 45A, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.42V @ 15V, 15A,

За желание
IRG8CH50K10F
Infineon Technologies

IRG8CH50K10F

Част запас: 8584

Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50A, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A,

За желание
IGC36T120T8LX1SA1
Infineon Technologies

IGC36T120T8LX1SA1

Част запас: 99

IGBT тип: Trench Field Stop, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор импулсен (Icm): 105A, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.07V @ 15V, 35A,

За желание
IKW40N65ES5XKSA1
Infineon Technologies

IKW40N65ES5XKSA1

Част запас: 14683

IGBT тип: Trench, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 650V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 79A, Ток - колектор импулсен (Icm): 160A, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 40A, Мощност - Макс: 230W,

За желание
RJH60D5BDPQ-E0#T2
Renesas Electronics America

RJH60D5BDPQ-E0#T2

Част запас: 13989

IGBT тип: Trench, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 75A, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 37A, Мощност - Макс: 200W,

За желание
RJH60F0DPK-00#T0
Renesas Electronics America

RJH60F0DPK-00#T0

Част запас: 18399

IGBT тип: Trench, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50A, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.82V @ 15V, 25A, Мощност - Макс: 201.6W,

За желание
RJP60D0DPK-00#T0
Renesas Electronics America

RJP60D0DPK-00#T0

Част запас: 22130

Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 45A, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 22A, Мощност - Макс: 140W,

За желание
IXGH4N250C
IXYS

IXGH4N250C

Част запас: 4672

Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 2500V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 13A, Ток - колектор импулсен (Icm): 46A, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 4A, Мощност - Макс: 150W,

За желание
IXYL40N250CV1
IXYS

IXYL40N250CV1

Част запас: 1018

Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 2500V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 70A, Ток - колектор импулсен (Icm): 400A, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 40A, Мощност - Макс: 577W,

За желание
IXYA8N90C3D1
IXYS

IXYA8N90C3D1

Част запас: 20138

Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 900V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20A, Ток - колектор импулсен (Icm): 48A, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 8A, Мощност - Макс: 125W,

За желание
IXGH28N120BD1
IXYS

IXGH28N120BD1

Част запас: 5867

IGBT тип: PT, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50A, Ток - колектор импулсен (Icm): 150A, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 28A, Мощност - Макс: 250W,

За желание
IXGX75N250
IXYS

IXGX75N250

Част запас: 965

IGBT тип: NPT, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 2500V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 170A, Ток - колектор импулсен (Icm): 530A, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 150A, Мощност - Макс: 780W,

За желание
IXBL64N250
IXYS

IXBL64N250

Част запас: 1346

Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 2500V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 116A, Ток - колектор импулсен (Icm): 750A, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 64A, Мощност - Макс: 500W,

За желание
IXYX25N250CV1HV
IXYS

IXYX25N250CV1HV

Част запас: 1951

Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 2500V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 95A, Ток - колектор импулсен (Icm): 235A, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 25A, Мощност - Макс: 937W,

За желание
IXGH48N60C3
IXYS

IXGH48N60C3

Част запас: 12225

IGBT тип: PT, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 75A, Ток - колектор импулсен (Icm): 250A, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A, Мощност - Макс: 300W,

За желание
STGP14NC60KD
STMicroelectronics

STGP14NC60KD

Част запас: 45549

Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 25A, Ток - колектор импулсен (Icm): 50A, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 7A, Мощност - Макс: 80W,

За желание
STGWT80V60DF
STMicroelectronics

STGWT80V60DF

Част запас: 8451

IGBT тип: Trench Field Stop, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 120A, Ток - колектор импулсен (Icm): 240A, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 80A, Мощност - Макс: 469W,

За желание
STGWT80H65DFB
STMicroelectronics

STGWT80H65DFB

Част запас: 9828

IGBT тип: Trench Field Stop, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 650V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 120A, Ток - колектор импулсен (Icm): 240A, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A, Мощност - Макс: 469W,

За желание
STGWF30NC60S
STMicroelectronics

STGWF30NC60S

Част запас: 19536

Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 35A, Ток - колектор импулсен (Icm): 150A, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A, Мощност - Макс: 79W,

За желание
STGFW30V60DF
STMicroelectronics

STGFW30V60DF

Част запас: 17582

IGBT тип: Trench Field Stop, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 60A, Ток - колектор импулсен (Icm): 120A, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A, Мощност - Макс: 58W,

За желание
STGB10NB37LZT4
STMicroelectronics

STGB10NB37LZT4

Част запас: 53513

Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 440V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20A, Ток - колектор импулсен (Icm): 40A, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.8V @ 4.5V, 10A, Мощност - Макс: 125W,

За желание
STGB19NC60KDT4
STMicroelectronics

STGB19NC60KDT4

Част запас: 27116

Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 35A, Ток - колектор импулсен (Icm): 75A, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 12A, Мощност - Макс: 125W,

За желание
STGF20NB60S
STMicroelectronics

STGF20NB60S

Част запас: 24023

Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 24A, Ток - колектор импулсен (Icm): 70A, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A, Мощност - Макс: 40W,

За желание
STGW35NB60SD
STMicroelectronics

STGW35NB60SD

Част запас: 12594

Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 70A, Ток - колектор импулсен (Icm): 250A, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A, Мощност - Макс: 200W,

За желание
STGB18N40LZT4
STMicroelectronics

STGB18N40LZT4

Част запас: 81563

Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 420V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30A, Ток - колектор импулсен (Icm): 40A, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.7V @ 4.5V, 10A, Мощност - Макс: 150W,

За желание
NGTD14T65F2SWK
ON Semiconductor

NGTD14T65F2SWK

Част запас: 43676

IGBT тип: Trench Field Stop, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 650V, Ток - колектор импулсен (Icm): 120A, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 35A,

За желание
FGA25N120ANTDTU
ON Semiconductor

FGA25N120ANTDTU

Част запас: 13542

IGBT тип: NPT and Trench, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 1200V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50A, Ток - колектор импулсен (Icm): 90A, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 50A, Мощност - Макс: 312W,

За желание
FGH30N60LSDTU
ON Semiconductor

FGH30N60LSDTU

Част запас: 7369

Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 60A, Ток - колектор импулсен (Icm): 90A, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 30A, Мощност - Макс: 480W,

За желание
RGTH40TS65DGC11
Rohm Semiconductor

RGTH40TS65DGC11

Част запас: 25319

IGBT тип: Trench Field Stop, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 650V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 40A, Ток - колектор импулсен (Icm): 80A, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A, Мощност - Макс: 144W,

За желание
RGTH00TS65DGC11
Rohm Semiconductor

RGTH00TS65DGC11

Част запас: 14392

IGBT тип: Trench Field Stop, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 650V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 85A, Ток - колектор импулсен (Icm): 200A, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Мощност - Макс: 277W,

За желание
RGPR30NS40HRTL
Rohm Semiconductor

RGPR30NS40HRTL

Част запас: 77

Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 430V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30A, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.0V @ 5V, 10A, Мощност - Макс: 125W,

За желание
RGW60TK65GVC11
Rohm Semiconductor

RGW60TK65GVC11

Част запас: 110

IGBT тип: Trench Field Stop, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 650V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 33A, Ток - колектор импулсен (Icm): 120A, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A, Мощност - Макс: 72W,

За желание
MGD623N
Sanken

MGD623N

Част запас: 30626

Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 600V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50A, Ток - колектор импулсен (Icm): 100A, Vce (включен) (макс.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A, Мощност - Макс: 150W,

За желание