Menu
Български езикБългарски език
Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Транзистори - биполярни (BJT) - единични

2SD1683T
ON Semiconductor

2SD1683T

Част запас: 6627

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V,

За желание
2SD1685G
ON Semiconductor

2SD1685G

Част запас: 6639

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 5A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 20V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 280 @ 500mA, 2V,

За желание
2SD1683S
ON Semiconductor

2SD1683S

Част запас: 6693

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V,

За желание
2SC6144
ON Semiconductor

2SC6144

Част запас: 6698

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 10A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 360mV @ 300mA, 6A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 270mA, 2V,

За желание
2SC5291S-AY
ON Semiconductor

2SC5291S-AY

Част запас: 6681

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1.5A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 160V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

За желание
2SC5706-H
ON Semiconductor

2SC5706-H

Част запас: 114436

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 5A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 2A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V,

За желание
2SC4614T-AN
ON Semiconductor

2SC4614T-AN

Част запас: 6662

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1.5A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 160V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

За желание
2SC3902T
ON Semiconductor

2SC3902T

Част запас: 6684

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1.5A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 160V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

За желание
2SC3902S
ON Semiconductor

2SC3902S

Част запас: 6693

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1.5A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 160V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

За желание
2SC3332S-AA
ON Semiconductor

2SC3332S-AA

Част запас: 6699

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 700mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 160V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 2mA, 20mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

За желание
2SC2812N6-TB-E
ON Semiconductor

2SC2812N6-TB-E

Част запас: 6628

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 150mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 135 @ 1mA, 6V,

За желание
2SA2222
ON Semiconductor

2SA2222

Част запас: 6657

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 10A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 6A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 150 @ 270mA, 2V,

За желание
2SA2210
ON Semiconductor

2SA2210

Част запас: 6704

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 350mA, 7A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 150 @ 1A, 2V,

За желание
2SA1827S-AY
ON Semiconductor

2SA1827S-AY

Част запас: 6648

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 100V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V,

За желание
2SA1768S-AN
ON Semiconductor

2SA1768S-AN

Част запас: 6607

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 700µA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 160V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 25mA, 250mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

За желание
2SA1706S-AN
ON Semiconductor

2SA1706S-AN

Част запас: 6684

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 1A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V,

За желание
2SA1709S-AN
ON Semiconductor

2SA1709S-AN

Част запас: 6638

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 100V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

За желание
2SA1179N6-TB-E
ON Semiconductor

2SA1179N6-TB-E

Част запас: 6695

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 150mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 135 @ 1mA, 6V,

За желание
2SC5888
ON Semiconductor

2SC5888

Част запас: 6616

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 10A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 360mV @ 250mA, 5A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V,

За желание
2SC4731T-AY
ON Semiconductor

2SC4731T-AY

Част запас: 6622

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 100V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V,

За желание
2SC4837S-AY
ON Semiconductor

2SC4837S-AY

Част запас: 6650

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 140 @ 10mA, 2V,

За желание
2SC4487T-AN
ON Semiconductor

2SC4487T-AN

Част запас: 6618

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 300mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

За желание
2SC4731S-AY
ON Semiconductor

2SC4731S-AY

Част запас: 6649

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 100V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V,

За желание
2SB1143T
ON Semiconductor

2SB1143T

Част запас: 5739

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 2A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

За желание
2SA2112-AN
ON Semiconductor

2SA2112-AN

Част запас: 6656

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 2A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 10V,

За желание
2SB1143S
ON Semiconductor

2SB1143S

Част запас: 6652

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 2A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V,

За желание
2SA2099
ON Semiconductor

2SA2099

Част запас: 6730

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 10A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 250mA, 5A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V,

За желание
2SA1707S-AN
ON Semiconductor

2SA1707S-AN

Част запас: 6694

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 2A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V,

За желание
2N3906RLRMG
ON Semiconductor

2N3906RLRMG

Част запас: 6617

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

За желание
2SC4135T-E
ON Semiconductor

2SC4135T-E

Част запас: 114892

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 100V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 5V,

За желание
2N3904ZL1G
ON Semiconductor

2N3904ZL1G

Част запас: 6636

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

За желание
2N3964
Central Semiconductor Corp

2N3964

Част запас: 21929

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 45V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10nA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 250 @ 1mA, 5V,

За желание
2SA2093TV2Q
Rohm Semiconductor

2SA2093TV2Q

Част запас: 6676

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V,

За желание
2SC5826TV2Q
Rohm Semiconductor

2SC5826TV2Q

Част запас: 6625

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V,

За желание
2SC5826TV2R
Rohm Semiconductor

2SC5826TV2R

Част запас: 6662

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 2V,

За желание
2SC4115STPQ
Rohm Semiconductor

2SC4115STPQ

Част запас: 6598

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 20V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V,

За желание