Menu
Български езикБългарски език
Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Транзистори - биполярни (BJT) - единични

2SB0709A0L
Panasonic Electronic Components

2SB0709A0L

Част запас: 5437

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 45V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 10V,

За желание
2SB143400A
Panasonic Electronic Components

2SB143400A

Част запас: 5433

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 200mA, 2V,

За желание
2SB1321A0A
Panasonic Electronic Components

2SB1321A0A

Част запас: 5460

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 85 @ 10mA, 10V,

За желание
2SB1322A0A
Panasonic Electronic Components

2SB1322A0A

Част запас: 5467

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 10V,

За желание
2SB1219ASL
Panasonic Electronic Components

2SB1219ASL

Част запас: 5490

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 170 @ 150mA, 10V,

За желание
2N6724
ON Semiconductor

2N6724

Част запас: 5450

Тип транзистор: NPN - Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 1A, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 4000 @ 1A, 5V,

За желание
2N6726
ON Semiconductor

2N6726

Част запас: 5395

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

За желание
2N6714
ON Semiconductor

2N6714

Част запас: 6579

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V,

За желание
2N3014
ON Semiconductor

2N3014

Част запас: 5441

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 20V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 350mV @ 10mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 300nA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 400mV,

За желание
2N3108
ON Semiconductor

2N3108

Част запас: 5384

Тип транзистор: NPN, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10nA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA,1V,

За желание
2N2906A
ON Semiconductor

2N2906A

Част запас: 71797

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V,

За желание
2N2369
ON Semiconductor

2N2369

Част запас: 5393

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 15V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V,

За желание
2N2221A
ON Semiconductor

2N2221A

Част запас: 71785

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 800mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V,

За желание
2N5961
ON Semiconductor

2N5961

Част запас: 5420

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 200mV @ 500µA, 10mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 2nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 5V,

За желание
2N5830
ON Semiconductor

2N5830

Част запас: 5439

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 100V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 50nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

За желание
2N5771
ON Semiconductor

2N5771

Част запас: 5732

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 15V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10nA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 300mV,

За желание
2N5772
ON Semiconductor

2N5772

Част запас: 5387

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 300mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 15V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 3mA, 300mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 500nA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 400mV,

За желание
2N5682
ON Semiconductor

2N5682

Част запас: 5471

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 120V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 40 @ 250mA, 2V,

За желание
2N5550BU
ON Semiconductor

2N5550BU

Част запас: 6606

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 140V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V,

За желание
2N5401BU
ON Semiconductor

2N5401BU

Част запас: 5419

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 150V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 50nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V,

За желание
2N5323
ON Semiconductor

2N5323

Част запас: 5454

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 50mA, 500mA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 4V,

За желание
2N5226
ON Semiconductor

2N5226

Част запас: 5437

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 25V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 800mV @ 10mA, 100mA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V,

За желание
2N5224
ON Semiconductor

2N5224

Част запас: 5407

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 12V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 350mV @ 3mA, 10mA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V,

За желание
2N5088BU
ON Semiconductor

2N5088BU

Част запас: 179781

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 50nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V,

За желание
2N4402BU
ON Semiconductor

2N4402BU

Част запас: 5460

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 50 @ 150mA, 2V,

За желание
2N4400BU
ON Semiconductor

2N4400BU

Част запас: 5455

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 50 @ 150mA, 1V,

За желание
2N4125BU
ON Semiconductor

2N4125BU

Част запас: 5391

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 50nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 50 @ 2mA, 1V,

За желание
2N4208
ON Semiconductor

2N4208

Част запас: 5405

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 12V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 130mV @ 100µA, 1mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10nA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 300mV,

За желание
2N3962
ON Semiconductor

2N3962

Част запас: 5405

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10nA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

За желание
2N4123BU
ON Semiconductor

2N4123BU

Част запас: 5451

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 50nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 50 @ 2mA, 1V,

За желание
2N3905BU
ON Semiconductor

2N3905BU

Част запас: 5413

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 1V,

За желание
2N6727
ON Semiconductor

2N6727

Част запас: 5472

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 50 @ 1A, 1V,

За желание
2N6719
ON Semiconductor

2N6719

Част запас: 6614

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 300V,

За желание
2N6725
ON Semiconductor

2N6725

Част запас: 5448

Тип транзистор: NPN - Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 1A, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 4000 @ 1A, 5V,

За желание
2N6715
ON Semiconductor

2N6715

Част запас: 5467

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 50 @ 1A, 1V,

За желание
2N3904PH
Vishay Semiconductor Diodes Division

2N3904PH

Част запас: 5410

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

За желание