Menu
Български езикБългарски език
0Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Транзистори - биполярни (BJT) - единични

BC807K-16R
Nexperia USA Inc.

BC807K-16R

Част запас: 145

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 45V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

За желание
BC817K-16R
Nexperia USA Inc.

BC817K-16R

Част запас: 140

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 45V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

За желание
BC807K-25VL
Nexperia USA Inc.

BC807K-25VL

Част запас: 147

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 45V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V,

За желание
BC817K-40R
Nexperia USA Inc.

BC817K-40R

Част запас: 211

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 45V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V,

За желание
BCP56TF
Nexperia USA Inc.

BCP56TF

Част запас: 146

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 80V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V,

За желание
BC817K-25VL
Nexperia USA Inc.

BC817K-25VL

Част запас: 207

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 45V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V,

За желание
BC817K-25R
Nexperia USA Inc.

BC817K-25R

Част запас: 182

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 45V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V,

За желание
BC807K-40R
Nexperia USA Inc.

BC807K-40R

Част запас: 178

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 45V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V,

За желание
BCP56-10TF
Nexperia USA Inc.

BCP56-10TF

Част запас: 194

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 80V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V,

За желание
BC807K-40VL
Nexperia USA Inc.

BC807K-40VL

Част запас: 219

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 45V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V,

За желание
BC817K-16VL
Nexperia USA Inc.

BC817K-16VL

Част запас: 174

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 45V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

За желание
BC817K-40VL
Nexperia USA Inc.

BC817K-40VL

Част запас: 143

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 45V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V,

За желание
BC807K-16VL
Nexperia USA Inc.

BC807K-16VL

Част запас: 141

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 45V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

За желание
BDX34C
STMicroelectronics

BDX34C

Част запас: 91615

Тип транзистор: PNP - Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 10A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 100V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 3A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 500µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V,

За желание
BU931P
STMicroelectronics

BU931P

Част запас: 23962

Тип транзистор: NPN - Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 15A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 400V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.8V @ 250mA, 10A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 300 @ 5A, 10V,

За желание
BUT30V
STMicroelectronics

BUT30V

Част запас: 2858

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 125V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 900mV @ 10A, 100A, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 27 @ 100A, 5V,

За желание
BD237
STMicroelectronics

BD237

Част запас: 83226

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 80V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100µA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V,

За желание
BDW93CFP
STMicroelectronics

BDW93CFP

Част запас: 47874

Тип транзистор: NPN - Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 12A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 100V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1mA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 750 @ 5A, 3V,

За желание
BD239C
STMicroelectronics

BD239C

Част запас: 186503

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 100V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 300µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V,

За желание
BCP53-16
STMicroelectronics

BCP53-16

Част запас: 172006

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 80V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V,

За желание
BUL98
STMicroelectronics

BUL98

Част запас: 45196

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 12A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 450V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2.4A, 12A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 15 @ 5A, 5V,

За желание
BUL743
STMicroelectronics

BUL743

Част запас: 40937

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 12A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 500V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2.5A, 10A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 250µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 24 @ 2A, 3V,

За желание
BDX53B
STMicroelectronics

BDX53B

Част запас: 161752

Тип транзистор: NPN - Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 8A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 80V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 500µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V,

За желание
BD135-16
STMicroelectronics

BD135-16

Част запас: 120414

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1.5A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 45V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V,

За желание
BUTW92
STMicroelectronics

BUTW92

Част запас: 9504

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 45A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 250V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 15A, 60A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 50µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 9 @ 60A, 3V,

За желание
BUL49D
STMicroelectronics

BUL49D

Част запас: 143616

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 5A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 450V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 800mA, 4A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 4 @ 7A, 10V,

За желание
BD136-16
STMicroelectronics

BD136-16

Част запас: 195392

Тип транзистор: PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1.5A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 45V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V,

За желание
BUL654
STMicroelectronics

BUL654

Част запас: 115888

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 12A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 400V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 700mV @ 1.4A, 7A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 7 @ 6A, 2V,

За желание
BUL1203EFP
STMicroelectronics

BUL1203EFP

Част запас: 76398

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 5A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 550V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 3A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 9 @ 2A, 5V,

За желание
BDX53C
STMicroelectronics

BDX53C

Част запас: 161808

Тип транзистор: NPN - Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 8A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 100V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 500µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V,

За желание
BD139-10
STMicroelectronics

BD139-10

Част запас: 155893

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1.5A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 80V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V,

За желание
BDX54C
STMicroelectronics

BDX54C

Част запас: 203

Тип транзистор: PNP - Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 8A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 100V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 500µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V,

За желание
BD677
STMicroelectronics

BD677

Част запас: 89386

Тип транзистор: NPN - Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 4A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 500µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V,

За желание
BULB49DT4
STMicroelectronics

BULB49DT4

Част запас: 181203

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 5A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 450V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 800mA, 4A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 4 @ 7A, 10V,

За желание
BDX33C
STMicroelectronics

BDX33C

Част запас: 71859

Тип транзистор: NPN - Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 10A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 100V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 3A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 500µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V,

За желание
BD13516STU
ON Semiconductor

BD13516STU

Част запас: 164732

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1.5A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 45V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V,

За желание