Транзистори - FET, MOSFET - масиви

ALD1105SBL

Част запас: 23424

FET тип: 2 N and 2 P-Channel Matched Pair, Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 10.6V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1µA,

ALD1115PAL

Част запас: 27731

FET тип: N and P-Channel Complementary, Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 10.6V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1800 Ohm @ 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1µA,

ALD1102PAL

Част запас: 18849

FET тип: 2 P-Channel (Dual) Matched Pair, Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 10.6V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 Ohm @ 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 10µA,

ALD1117PAL

Част запас: 27717

FET тип: 2 P-Channel (Dual) Matched Pair, Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 10.6V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1800 Ohm @ 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1µA,

ALD114835SCL

Част запас: 17031

FET тип: 4 N-Channel, Matched Pair, Функция FET: Depletion Mode, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 10.6V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 12mA, 3mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540 Ohm @ 0V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.45V @ 1µA,

ALD1101ASAL

Част запас: 12357

FET тип: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 10.6V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 Ohm @ 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 10µA,

ALD1116PAL

Част запас: 27729

FET тип: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 10.6V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1µA,

ALD1106PBL

Част запас: 23410

FET тип: 4 N-Channel, Matched Pair, Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 10.6V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1µA,

ALD111933SAL

Част запас: 23136

FET тип: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 10.6V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 5.9V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.35V @ 1µA,

ALD1106SBL

Част запас: 23429

FET тип: 4 N-Channel, Matched Pair, Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 10.6V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1µA,

ALD1105PBL

Част запас: 23483

FET тип: 2 N and 2 P-Channel Matched Pair, Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 10.6V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1µA,

ALD111910MAL

Част запас: 33453

ALD1116SAL

Част запас: 27725

FET тип: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 10.6V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1µA,

ALD111910SAL

Част запас: 38839

ALD111910PAL

Част запас: 38839

ALD1115MAL

Част запас: 31406

FET тип: N and P-Channel Complementary, Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 10.6V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1800 Ohm @ 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1µA,

ALD111933MAL

Част запас: 33438

FET тип: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 10.6V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 5.9V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.35V @ 1µA,