Памет

S29WS128N0SBAW012

Част запас: 159

CY7C0251AV-25AC

Част запас: 2890

Тип памет: Volatile, Формат на паметта: SRAM, Технология: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Размер на паметта: 144Kb (8K x 18), Време за писане на цикъл - дума, страница: 25ns,

S99PL127J0240 P

Част запас: 6467

CY14B101KA-ZS25XI

Част запас: 2850

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: NVSRAM, Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Размер на паметта: 1Mb (128K x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 25ns,

S34ML01G200TFI003

Част запас: 7917

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: FLASH, Технология: FLASH - NAND, Размер на паметта: 1Gb (128M x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 25ns,

CY7C1318KV18-250BZC

Част запас: 2718

Тип памет: Volatile, Формат на паметта: SRAM, Технология: SRAM - Synchronous, DDR II, Размер на паметта: 18Mb (1M x 18), Честота на часовника: 250MHz,

CYD09S36V18-WW14

Част запас: 4540

FM28V102A-TG

Част запас: 3269

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: FRAM, Технология: FRAM (Ferroelectric RAM), Размер на паметта: 1Mb (64K x 16), Време за писане на цикъл - дума, страница: 90ns,

FM28V202A-TGTR

Част запас: 3307

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: FRAM, Технология: FRAM (Ferroelectric RAM), Размер на паметта: 2Mb (128K x 16), Време за писане на цикъл - дума, страница: 90ns,

S70GL02GT11FHB013

Част запас: 3453

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: FLASH, Технология: FLASH - NOR, Размер на паметта: 2Gb (256M x 8, 128M x 16),

CY14V104NA-BA25XIT

Част запас: 131

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: NVSRAM, Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Размер на паметта: 4Mb (256K x 16), Време за писане на цикъл - дума, страница: 25ns,

CY7C024AV-20AXCT

Част запас: 4409

Тип памет: Volatile, Формат на паметта: SRAM, Технология: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Размер на паметта: 64Kb (4K x 16), Време за писане на цикъл - дума, страница: 20ns,

S70GL02GT12FHAV10

Част запас: 156

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: FLASH, Технология: FLASH - NOR, Размер на паметта: 2Gb (256M x 8, 128M x 16),

CG7811AAT

Част запас: 4380

CY14V104NA-BA45XI

Част запас: 3183

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: NVSRAM, Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Размер на паметта: 4Mb (256K x 16), Време за писане на цикъл - дума, страница: 45ns,

CG8239AAT

Част запас: 4433

CG7813AA

Част запас: 4417

S70GL02GT11FHI010

Част запас: 2978

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: FLASH, Технология: FLASH - NOR, Размер на паметта: 2Gb (256M x 8, 128M x 16),

CY7C1312KV18-250BZXCT

Част запас: 3256

Тип памет: Volatile, Формат на паметта: SRAM, Технология: SRAM - Synchronous, QDR II, Размер на паметта: 18Mb (1M x 18), Честота на часовника: 250MHz,

CY7C006A-WW14

Част запас: 4484

CY62167G30-45BVXI

Част запас: 3144

CY7C1312KV18-250BZCT

Част запас: 3220

Тип памет: Volatile, Формат на паметта: SRAM, Технология: SRAM - Synchronous, QDR II, Размер на паметта: 18Mb (1M x 18), Честота на часовника: 250MHz,

CY7C1315KV18-250BZCT

Част запас: 2983

Тип памет: Volatile, Формат на паметта: SRAM, Технология: SRAM - Synchronous, QDR II, Размер на паметта: 18Mb (512K x 36), Честота на часовника: 250MHz,

CY14B101LA-ZS45XI

Част запас: 3535

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: NVSRAM, Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Размер на паметта: 1Mb (128K x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 45ns,

CY7C1361KVE33-133AXM

Част запас: 3366

CY7C1381KVE33-133AXIT

Част запас: 3150

Тип памет: Volatile, Формат на паметта: SRAM, Технология: SRAM - Synchronous, Размер на паметта: 18Mb (512K x 36), Честота на часовника: 133MHz,

CY14B104NA-BA45XIT

Част запас: 3120

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: NVSRAM, Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Размер на паметта: 4Mb (256K x 16), Време за писане на цикъл - дума, страница: 45ns,

CY14B104NA-ZS45XIT

Част запас: 3052

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: NVSRAM, Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Размер на паметта: 4Mb (256K x 16), Време за писане на цикъл - дума, страница: 45ns,

CY14V101NA-BA25XI

Част запас: 3169

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: NVSRAM, Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Размер на паметта: 1Mb (64K x 16), Време за писане на цикъл - дума, страница: 25ns,

CG7905AAT

Част запас: 4334

CY62177EV18LL-70BAXIT

Част запас: 3246

Тип памет: Volatile, Формат на паметта: SRAM, Технология: SRAM - Asynchronous, Размер на паметта: 32Mb (4M x 8, 2M x 16), Време за писане на цикъл - дума, страница: 70ns,

S70GL02GS12FHBV23

Част запас: 7360

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: FLASH, Технология: FLASH - NOR, Размер на паметта: 2Gb (128M x 16),

CY14V104LA-BA25XIT

Част запас: 3330

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: NVSRAM, Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Размер на паметта: 4Mb (512K x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 25ns,

CY14B104K-ZS25XIT

Част запас: 3356

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: NVSRAM, Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Размер на паметта: 4Mb (512K x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 25ns,

CY14B104NA-BA25XIT

Част запас: 3051

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: NVSRAM, Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Размер на паметта: 4Mb (256K x 16), Време за писане на цикъл - дума, страница: 25ns,

CY14B104M-ZSP25XIT

Част запас: 3341

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: NVSRAM, Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Размер на паметта: 4Mb (256K x 16), Време за писане на цикъл - дума, страница: 25ns,