Транзистори - FET, MOSFET - единични

У дома
Транзистори - FET, MOSFET - единични

Diodes Incorporated

BS107PSTOB

Част запас: 9842

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 200V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 120mA (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 2.6V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 Ohm @ 100mA, 5V,

Списък с желания

Diodes Incorporated

BS170FTC

Част запас: 9815

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 150µA (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

Списък с желания

Diodes Incorporated

BS107PSTOA

Част запас: 9830

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 200V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 120mA (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 2.6V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 Ohm @ 100mA, 5V,

Списък с желания

Diodes Incorporated

BSS127SSN-7

Част запас: 139832

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 600V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 50mA (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 Ohm @ 16mA, 10V,

Списък с желания

Diodes Incorporated

BSS123ATA

Част запас: 9563

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 170mA (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

Списък с желания

Diodes Incorporated

BSS123W-7

Част запас: 9261

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 170mA (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

Списък с желания

Diodes Incorporated

BSS123-7

Част запас: 9289

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 170mA (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

Списък с желания

Diodes Incorporated

BSS84W-7

Част запас: 5967

FET тип: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 50V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 130mA (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 100mA, 5V,

Списък с желания

Diodes Incorporated

BSS138W-7

Част запас: 9210

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 50V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 200mA (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V,

Списък с желания

Diodes Incorporated

BSS84-7

Част запас: 5966

FET тип: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 50V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 130mA (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 100mA, 5V,

Списък с желания

Diodes Incorporated

BSS138-7

Част запас: 9161

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 50V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 200mA (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V,

Списък с желания

Diodes Incorporated

BS870-7

Част запас: 9148

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 250mA (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

Списък с желания

Diodes Incorporated

BSS138TA

Част запас: 178827

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 50V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 200mA (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V,

Списък с желания

Diodes Incorporated

BSS84TA

Част запас: 8844

FET тип: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 50V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 130mA (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 100mA, 5V,

Списък с желания

Diodes Incorporated

BS170FTA

Част запас: 141023

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 150µA (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

Списък с желания

Diodes Incorporated

BS250FTA

Част запас: 165036

FET тип: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 45V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 90mA (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 200mA, 10V,

Списък с желания

Diodes Incorporated

BS250P

Част запас: 76312

FET тип: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 45V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 230mA (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 200mA, 10V,

Списък с желания

Diodes Incorporated

BS870-7-F

Част запас: 145986

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 250mA (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

Списък с желания

Diodes Incorporated

BS107P

Част запас: 111049

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 200V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 120mA (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 2.6V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 Ohm @ 100mA, 5V,

Списък с желания

Diodes Incorporated

BSS123-7-F

Част запас: 194929

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 170mA (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

Списък с желания

Diodes Incorporated

BSS127S-7

Част запас: 145342

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 600V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 50mA (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 Ohm @ 16mA, 10V,

Списък с желания

Diodes Incorporated

BSS123W-7-F

Част запас: 104941

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 170mA (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

Списък с желания

Diodes Incorporated

BSS123TA

Част запас: 164889

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 170mA (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 100mA, 10V,

Списък с желания

Diodes Incorporated

BSS123WQ-7-F

Част запас: 128372

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 170mA (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

Списък с желания

Diodes Incorporated

BSN20-7

Част запас: 154699

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 50V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 500mA (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 220mA, 10V,

Списък с желания

Diodes Incorporated

BSS138W-7-F

Част запас: 179213

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 50V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 200mA (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V,

Списък с желания

Diodes Incorporated

BSS84W-7-F

Част запас: 141466

FET тип: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 50V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 130mA (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 100mA, 5V,

Списък с желания

Diodes Incorporated

BSS84-7-F

Част запас: 115052

FET тип: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 50V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 130mA (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 100mA, 5V,

Списък с желания

Diodes Incorporated

BSS138-7-F

Част запас: 190529

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 50V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 200mA (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V,

Списък с желания

Diodes Incorporated

DMP1096UCB4-7

Част запас: 195132

FET тип: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 12V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 2.6A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102 mOhm @ 500mA, 4.5V,

Списък с желания

DMTH6004SCTBQ-13

Diodes Incorporated

DMTH6004SCTBQ-13

Част запас: 44412

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 100A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 100A, 10V,

Списък с желания

Diodes Incorporated

DMG4N65CT

Част запас: 59554

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 650V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 4A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 2A, 10V,

Списък с желания

Diodes Incorporated

DMN2058UW-7

Част запас: 101

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 3.5A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 3A, 10V,

Списък с желания

Diodes Incorporated

DMN1053UCP4-7

Част запас: 118

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 12V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 2.7A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 1A, 4.5V,

Списък с желания

Diodes Incorporated

DMN1017UCP3-7

Част запас: 198308

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 12V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 7.5A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 3.3V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 5A, 3.3V,

Списък с желания

Diodes Incorporated

DMJ70H1D3SH3

Част запас: 61608

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 700V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 4.6A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3 Ohm @ 2.5A, 10V,

Списък с желания

1420

«
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
»