Menu
Български езикБългарски език
Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Транзистори - биполярни (BJT) - единични, предвари

  • У дома
  •  
  • Транзистори - биполярни (BJT) - единични, предвари
DDTA142JU-7-F
Diodes Incorporated

DDTA142JU-7-F

Част запас: 139365

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 470 Ohms, Резистор - основа на емитер (R2): 10 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 5V,

Списък с желания
DDTA143FE-7
Diodes Incorporated

DDTA143FE-7

Част запас: 2179

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 22 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 68 @ 10mA, 5V,

Списък с желания
DDTC124XUA-7
Diodes Incorporated

DDTC124XUA-7

Част запас: 2210

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Списък с желания
DDTC144WUA-7
Diodes Incorporated

DDTC144WUA-7

Част запас: 2178

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 22 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

Списък с желания
DDTC144TCA-7
Diodes Incorporated

DDTC144TCA-7

Част запас: 2179

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Списък с желания
DDTC144VUA-7
Diodes Incorporated

DDTC144VUA-7

Част запас: 2194

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 10 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V,

Списък с желания
DDTA123TCA-7-F
Diodes Incorporated

DDTA123TCA-7-F

Част запас: 159489

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 2.2 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Списък с желания
DDTA113TUA-7
Diodes Incorporated

DDTA113TUA-7

Част запас: 140849

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 1 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Списък с желания
DDTC142JE-7
Diodes Incorporated

DDTC142JE-7

Част запас: 2162

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 470 Ohms, Резистор - основа на емитер (R2): 10 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 5V,

Списък с желания
DDTA143TE-7-F
Diodes Incorporated

DDTA143TE-7-F

Част запас: 173713

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Списък с желания
DDTC144WE-7
Diodes Incorporated

DDTC144WE-7

Част запас: 3259

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 22 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

Списък с желания
DDTA144VUA-7
Diodes Incorporated

DDTA144VUA-7

Част запас: 3310

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 10 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V,

Списък с желания
DDTA143XCA-7-F
Diodes Incorporated

DDTA143XCA-7-F

Част запас: 185864

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 10 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Списък с желания
DRDPB26W-7
Diodes Incorporated

DRDPB26W-7

Част запас: 197111

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased + Diode, Ток - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 220 Ohms, Резистор - основа на емитер (R2): 4.7 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V,

Списък с желания
DDTA143EUA-7-F
Diodes Incorporated

DDTA143EUA-7-F

Част запас: 172029

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 4.7 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 5V,

Списък с желания
DDTA123ECA-7
Diodes Incorporated

DDTA123ECA-7

Част запас: 2139

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 2.2 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 2.2 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V,

Списък с желания
DDTA123JCA-7
Diodes Incorporated

DDTA123JCA-7

Част запас: 2218

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 2.2 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Списък с желания
DDTC143XUA-7
Diodes Incorporated

DDTC143XUA-7

Част запас: 2251

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 10 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Списък с желания
DDTA124EUA-7-F
Diodes Incorporated

DDTA124EUA-7-F

Част запас: 119181

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 22 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

Списък с желания
DDTA114WUA-7
Diodes Incorporated

DDTA114WUA-7

Част запас: 3290

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 4.7 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 24 @ 10mA, 5V,

Списък с желания
DDTD122TC-7-F
Diodes Incorporated

DDTD122TC-7-F

Част запас: 184792

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 220 Ohms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V,

Списък с желания
DDTA143ECA-7
Diodes Incorporated

DDTA143ECA-7

Част запас: 2255

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 4.7 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 5V,

Списък с желания
DDTA123JUA-7-F
Diodes Incorporated

DDTA123JUA-7-F

Част запас: 183188

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 2.2 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Списък с желания
DDTC143TE-7
Diodes Incorporated

DDTC143TE-7

Част запас: 2196

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Списък с желания
DDTC123EUA-7
Diodes Incorporated

DDTC123EUA-7

Част запас: 2191

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 2.2 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 2.2 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V,

Списък с желания
DDTA114GCA-7-F
Diodes Incorporated

DDTA114GCA-7-F

Част запас: 165191

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа на емитер (R2): 10 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Списък с желания
DDTA143ZE-7
Diodes Incorporated

DDTA143ZE-7

Част запас: 2196

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Списък с желания
DDTC114GE-7
Diodes Incorporated

DDTC114GE-7

Част запас: 2193

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа на емитер (R2): 10 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Списък с желания
DDTA143ZUA-7
Diodes Incorporated

DDTA143ZUA-7

Част запас: 2150

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Списък с желания
DDTD142TC-7
Diodes Incorporated

DDTD142TC-7

Част запас: 2185

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 470 Ohms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V,

Списък с желания
DDTD123EC-7-F
Diodes Incorporated

DDTD123EC-7-F

Част запас: 112470

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 2.2 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 2.2 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 39 @ 50mA, 5V,

Списък с желания
DDTA144VUA-7-F
Diodes Incorporated

DDTA144VUA-7-F

Част запас: 153

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 10 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V,

Списък с желания
DDTB133HU-7-F
Diodes Incorporated

DDTB133HU-7-F

Част запас: 160983

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 3.3 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 10 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V,

Списък с желания
DDTC124TE-7
Diodes Incorporated

DDTC124TE-7

Част запас: 2162

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Списък с желания
DDTB122TC-7
Diodes Incorporated

DDTB122TC-7

Част запас: 2149

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 220 Ohms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V,

Списък с желания
DDTC125TE-7
Diodes Incorporated

DDTC125TE-7

Част запас: 2183

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 200 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Списък с желания