Транзистори - биполярни (BJT) - масиви | Дискретни полупроводникови продукти | 6

ZHB6792TC

Част запас: 4496

Тип транзистор: 2 NPN, 2 PNP (H-Bridge), Ток - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 70V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 2A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V,

Списък с желания

Diodes Incorporated

ZDT1147TA

Част запас: 4500

Тип транзистор: 2 PNP (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 5A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 12V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 380mV @ 50mA, 5A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V,

Списък с желания

Diodes Incorporated

ULN2003V12T16-13

Част запас: 155544

Тип транзистор: 7 NPN Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 50µA,

Списък с желания

Diodes Incorporated

ZXTD4591AM832TA

Част запас: 6458

Тип транзистор: NPN, PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 2A, 1.5A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V / 300 @ 100mA, 5V,

Списък с желания

Diodes Incorporated

MMDT4413-7-F

Част запас: 144827

Тип транзистор: NPN, PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V / 100 @ 150mA, 2V,

Списък с желания

Diodes Incorporated

ZDT6790TC

Част запас: 4397

Тип транзистор: NPN, PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 45V, 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 1A / 750mV @ 50mA, 2A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 400 @ 1A, 2V / 300 @ 10mA, 2V,

Списък с желания

Diodes Incorporated

ZDT690TC

Част запас: 4459

Тип транзистор: 2 NPN (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 45V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 1A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 400 @ 1A, 2V,

Списък с желания

Diodes Incorporated

DN0150ADJ-7

Част запас: 192795

Тип транзистор: 2 NPN (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Списък с желания

Diodes Incorporated

ZXTDC3M832TA

Част запас: 4621

Тип транзистор: NPN, PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 4A, 3A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A / 370mV @ 250mA, 2.5A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 25nA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V / 60 @ 1.5A, 2V,

Списък с желания

Diodes Incorporated

ZDT6758TC

Част запас: 4490

Тип транзистор: NPN, PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 400V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 10V,

Списък с желания

Diodes Incorporated

LBN150B01-7

Част запас: 252

Тип транзистор: NPN, PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 360mV @ 20mA, 200mA / 500mV @ 20mA, 200mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 50nA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 100mA, 1V / 32 @ 100mA, 1V,

Списък с желания

Diodes Incorporated

DMMT3906WQ-7-F

Част запас: 143964

Тип транзистор: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Ток - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Списък с желания

Diodes Incorporated

ZXTD4591E6TC

Част запас: 4494

Тип транзистор: NPN, PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A / 500mV @ 100mA, 1A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V,

Списък с желания

Diodes Incorporated

MMDT5401-7

Част запас: 4476

Тип транзистор: 2 PNP (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 150V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 50nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V,

Списък с желания

Diodes Incorporated

ZDT705TA

Част запас: 4624

Тип транзистор: 2 PNP Darlington (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 1A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 120V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 2mA, 2A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 3000 @ 1A, 5V,

Списък с желания

Diodes Incorporated

ZDT617TA

Част запас: 4582

Тип транзистор: 2 NPN (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 3A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 15V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 200mV @ 50mA, 3A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V,

Списък с желания

Diodes Incorporated

ZDT717TC

Част запас: 4478

Тип транзистор: 2 PNP (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 2.5A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 12V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 220mV @ 50mA, 2.5A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V,

Списък с желания

Diodes Incorporated

MMDT5401Q-7-F

Част запас: 179

Тип транзистор: 2 PNP (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 150V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 50nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V,

Списък с желания

Diodes Incorporated

ZXTC6718MCQTA

Част запас: 153394

Тип транзистор: NPN, PNP, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 20V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 125mA, 4.5A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V,

Списък с желания

Diodes Incorporated

MMDT3906-7

Част запас: 4376

Тип транзистор: 2 PNP (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 40V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Списък с желания

Diodes Incorporated

ZXT12N20DXTC

Част запас: 4485

Тип транзистор: 2 NPN (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 3.5A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 20V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 200mV @ 50mA, 3.5A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V,

Списък с желания

Diodes Incorporated

ZXTD2M832TA

Част запас: 4493

Тип транзистор: 2 PNP (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 3.5A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 20V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 350mA, 3.5A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 25nA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 2V,

Списък с желания

Diodes Incorporated

ULN2002AS16-13

Част запас: 177536

Тип транзистор: 7 NPN Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 50µA,

Списък с желания

Diodes Incorporated

ZDT619TA

Част запас: 4472

Тип транзистор: 2 NPN (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 200mV @ 50mA, 2A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V,

Списък с желания

Diodes Incorporated

DST847BDJ-7

Част запас: 122028

Тип транзистор: 2 NPN (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 45V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 15nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Списък с желания

Diodes Incorporated

ZXTDB2M832TA

Част запас: 4396

Тип транзистор: NPN, PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 4.5A, 3.5A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 20V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 270mV @ 125mA, 4.5A / 300mV @ 350mA, 3.5A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 25nA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V / 150 @ 2A, 2V,

Списък с желания

Diodes Incorporated

ZDT649TC

Част запас: 4459

Тип транзистор: 2 NPN (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 2A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 25V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V,

Списък с желания

Diodes Incorporated

MMDT2907A-7

Част запас: 4520

Тип транзистор: 2 PNP (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 60V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Списък с желания

Diodes Incorporated

ULN2003AD16-U

Част запас: 122050

Тип транзистор: 7 NPN Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 50µA,

Списък с желания

Diodes Incorporated

ULN2003AS16-13

Част запас: 190957

Тип транзистор: 7 NPN Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 50µA,

Списък с желания

Diodes Incorporated

MMDT5451-7

Част запас: 4477

Тип транзистор: NPN, PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 200mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 160V, 150V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 50nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V / 60 @ 10mA, 5V,

Списък с желания

Diodes Incorporated

ZXTC6720MCTA

Част запас: 181229

Тип транзистор: NPN, PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 3.5A, 2.5A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 80V, 70V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 340mV @ 300mA, 3.5A / 270mV @ 200mA, 1.5A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V / 40 @ 1.5A, 5V,

Списък с желания

Diodes Incorporated

ZDT694TA

Част запас: 129831

Тип транзистор: 2 NPN (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 120V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 400mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 400 @ 200mA, 2V,

Списък с желания

Diodes Incorporated

ZXTDBM832TA

Част запас: 4560

Тип транзистор: 2 NPN (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 4.5A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 20V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 270mV @ 125mA, 4.5A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 25nA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V,

Списък с желания

Diodes Incorporated

ULN2003F12FN-7

Част запас: 137824

Тип транзистор: 4 NPN Darlington (Quad), Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 20V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 50µA,

Списък с желания

Diodes Incorporated

ZXTC6718MCTA

Част запас: 158453

Тип транзистор: NPN, PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 4.5A, 3.5A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 20V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 300mV @ 125mA, 4.5A / 300mV @ 350mA, 3.5A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100nA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V / 150 @ 2A, 2V,

Списък с желания