Menu
Български езикБългарски език
Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Феритни ядра

B65684A0315A027
EPCOS (TDK)

B65684A0315A027

Част запас: 3089

Тип на ядрото: PM, Коефициент на индуктивност (Al): 315nH, Толерантност: ±3%, Пропуск: N27, Ефективна пропускливост (µe): 62.00mm, Първоначална пропускливост (µi): PM 62 x 49,

Списък с желания
B66317G0000X130
EPCOS (TDK)

B66317G0000X130

Част запас: 130466

Тип на ядрото: E, Пропуск: N30, Първоначална пропускливост (µi): E 25 x 13 x 7,

Списък с желания
B64290L0647X065
EPCOS (TDK)

B64290L0647X065

Част запас: 53690

Тип на ядрото: Toroid, Коефициент на индуктивност (Al): 6.8µH, Толерантност: ±30%, Пропуск: T65, Ефективна пропускливост (µe): 31.00mm,

Списък с желания
B64290L0043X037
EPCOS (TDK)

B64290L0043X037

Част запас: 7077

Тип на ядрото: Toroid, Коефициент на индуктивност (Al): 13µH, Толерантност: ±25%, Пропуск: T37, Ефективна пропускливост (µe): 60.10mm,

Списък с желания
B66387G1500X127
EPCOS (TDK)

B66387G1500X127

Част запас: 13106

Тип на ядрото: E, Пропуск: N27, Първоначална пропускливост (µi): E 65 x 32 x 27,

Списък с желания
B65879B0000R087
EPCOS (TDK)

B65879B0000R087

Част запас: 43518

Тип на ядрото: PQ, Коефициент на индуктивност (Al): 4.8µH, Толерантност: -20%, +30%, Пропуск: N87, Първоначална пропускливост (µi): PQ 32 x 30,

Списък с желания
B66397G1500X187
EPCOS (TDK)

B66397G1500X187

Част запас: 20723

Тип на ядрото: ETD, Пропуск: N87, Първоначална пропускливост (µi): ETD 59 x 31 x 22,

Списък с желания
B65701W0000R087
EPCOS (TDK)

B65701W0000R087

Част запас: 31278

Тип на ядрото: P (Pot Core), Коефициент на индуктивност (Al): 6.4µH, Толерантност: -20%, +30%, Пропуск: N87, Ефективна пропускливост (µe): 30.50mm, Първоначална пропускливост (µi): P 30 x 19,

Списък с желания
B65883A0000R087
EPCOS (TDK)

B65883A0000R087

Част запас: 22347

Тип на ядрото: PQ, Коефициент на индуктивност (Al): 4.3µH, Толерантност: -20%, +30%, Пропуск: N87, Първоначална пропускливост (µi): PQ 40 x 40,

Списък с желания
B66371G1500X127
EPCOS (TDK)

B66371G1500X127

Част запас: 11999

Тип на ядрото: E, Пропуск: N27, Първоначална пропускливост (µi): E 70 x 33 x 32,

Списък с желания
B66343G0000X127
EPCOS (TDK)

B66343G0000X127

Част запас: 13650

Тип на ядрото: EC, Пропуск: N27, Първоначална пропускливост (µi): EC 70 x 35 x 16,

Списък с желания
B65883A0000R049
EPCOS (TDK)

B65883A0000R049

Част запас: 16932

Тип на ядрото: PQ, Коефициент на индуктивност (Al): 3.2µH, Толерантност: -20%, +30%, Пропуск: N49, Първоначална пропускливост (µi): PQ 40 x 40,

Списък с желания
B66367G2000X187
EPCOS (TDK)

B66367G2000X187

Част запас: 28578

Тип на ядрото: ETD, Пропуск: N87, Първоначална пропускливост (µi): ETD 49 x 25 x 16,

Списък с желания
B65879A0000R087
EPCOS (TDK)

B65879A0000R087

Част запас: 26812

Тип на ядрото: PQ, Коефициент на индуктивност (Al): 6.3µH, Толерантност: -20%, +30%, Пропуск: N87, Първоначална пропускливост (µi): PQ 32 x 20,

Списък с желания
B65815E0000R097
EPCOS (TDK)

B65815E0000R097

Част запас: 15548

Тип на ядрото: RM, Коефициент на индуктивност (Al): 5.3µH, Толерантност: -20%, +30%, Пропуск: N97, Първоначална пропускливост (µi): RM 12,

Списък с желания
B64290L0699X065
EPCOS (TDK)

B64290L0699X065

Част запас: 4924

Тип на ядрото: Toroid, Коефициент на индуктивност (Al): 12.6µH, Толерантност: ±30%, Пропуск: T65, Ефективна пропускливост (µe): 65.30mm,

Списък с желания
B65881A0000R087
EPCOS (TDK)

B65881A0000R087

Част запас: 25768

Тип на ядрото: PQ, Коефициент на индуктивност (Al): 4.5µH, Толерантност: -20%, +30%, Пропуск: N87, Първоначална пропускливост (µi): PQ 35 x 35,

Списък с желания
B64290L0657X830
EPCOS (TDK)

B64290L0657X830

Част запас: 48956

Тип на ядрото: Toroid, Коефициент на индуктивност (Al): 4.54µH, Толерантност: ±25%, Пропуск: N30, Ефективна пропускливост (µe): 32.10mm,

Списък с желания
B64290L0040X087
EPCOS (TDK)

B64290L0040X087

Част запас: 10402

Тип на ядрото: Toroid, Коефициент на индуктивност (Al): 2.76µH, Толерантност: ±25%, Пропуск: N87, Ефективна пропускливост (µe): 60.10mm,

Списък с желания
B66325G0000X127
EPCOS (TDK)

B66325G0000X127

Част запас: 48881

Тип на ядрото: E, Пропуск: N27, Първоначална пропускливост (µi): E 42 x 21 x 15,

Списък с желания
B66358G1000X187
EPCOS (TDK)

B66358G1000X187

Част запас: 83220

Тип на ядрото: ETD, Пропуск: N87, Първоначална пропускливост (µi): ETD 29 x 16 x 10,

Списък с желания
B64290L0616X087
EPCOS (TDK)

B64290L0616X087

Част запас: 58687

Тип на ядрото: Toroid, Коефициент на индуктивност (Al): 4.68µH, Толерантност: ±25%, Пропуск: N87, Ефективна пропускливост (µe): 26.60mm,

Списък с желания
B64290L0659X087
EPCOS (TDK)

B64290L0659X087

Част запас: 16084

Тип на ядрото: Toroid, Коефициент на индуктивност (Al): 3.59µH, Толерантност: ±25%, Пропуск: N87, Ефективна пропускливост (µe): 41.80mm,

Списък с желания
B65887E0250A087
EPCOS (TDK)

B65887E0250A087

Част запас: 12108

Тип на ядрото: RM, Пропуск: N87, Първоначална пропускливост (µi): RM 14,

Списък с желания
B65887E1000J087
EPCOS (TDK)

B65887E1000J087

Част запас: 20907

Тип на ядрото: RM, Пропуск: N87, Първоначална пропускливост (µi): RM 14,

Списък с желания
B64290L0659X027
EPCOS (TDK)

B64290L0659X027

Част запас: 17990

Тип на ядрото: Toroid, Коефициент на индуктивност (Al): 3.27µH, Толерантност: ±25%, Пропуск: N27, Ефективна пропускливост (µe): 41.80mm,

Списък с желания
B65651T0100A033
EPCOS (TDK)

B65651T0100A033

Част запас: 19402

Тип на ядрото: P (Pot Core), Коефициент на индуктивност (Al): 100nH, Толерантност: ±3%, Пропуск: M33, Ефективна пропускливост (µe): 18.40mm, Първоначална пропускливост (µi): P 18 x 11,

Списък с желания
B65671W0000Y038
EPCOS (TDK)

B65671W0000Y038

Част запас: 30775

Тип на ядрото: P (Pot Core), Коефициент на индуктивност (Al): 22µH, Толерантност: -30%, +40%, Пропуск: T38, Ефективна пропускливост (µe): 26.00mm, Първоначална пропускливост (µi): P 26 x 16,

Списък с желания
B65887E0000R087
EPCOS (TDK)

B65887E0000R087

Част запас: 12915

Тип на ядрото: RM, Коефициент на индуктивност (Al): 6µH, Толерантност: -20%, +30%, Пропуск: N87, Първоначална пропускливост (µi): RM 14,

Списък с желания
B66397G0000X197
EPCOS (TDK)

B66397G0000X197

Част запас: 10928

Тип на ядрото: ETD, Пропуск: N97, Първоначална пропускливост (µi): ETD 59 x 31 x 22,

Списък с желания
B66365G0000X187
EPCOS (TDK)

B66365G0000X187

Част запас: 35637

Тип на ядрото: ETD, Пропуск: N87, Първоначална пропускливост (µi): ETD 44 x 22 x 15,

Списък с желания
B65981A0000R097
EPCOS (TDK)

B65981A0000R097

Част запас: 6175

Тип на ядрото: PQ, Коефициент на индуктивност (Al): 6.7µH, Толерантност: -20%, +30%, Пропуск: N97, Първоначална пропускливост (µi): PQ 50 x 50,

Списък с желания
B65813P0000R049
EPCOS (TDK)

B65813P0000R049

Част запас: 43456

Пропуск: N49,

Списък с желания
B64290L0048X087
EPCOS (TDK)

B64290L0048X087

Част запас: 45681

Тип на ядрото: Toroid, Коефициент на индуктивност (Al): 2.79µH, Толерантност: ±25%, Пропуск: N87, Ефективна пропускливост (µe): 35.50mm,

Списък с желания
B65811D0000R048
EPCOS (TDK)

B65811D0000R048

Част запас: 37177

Тип на ядрото: RM, Коефициент на индуктивност (Al): 2.9µH, Толерантност: -20%, +30%, Пропуск: N48, Първоначална пропускливост (µi): RM 8,

Списък с желания
B64290L0674X065
EPCOS (TDK)

B64290L0674X065

Част запас: 52881

Тип на ядрото: Toroid, Коефициент на индуктивност (Al): 6.8µH, Толерантност: ±30%, Пропуск: T65, Ефективна пропускливост (µe): 37.50mm,

Списък с желания