Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,
Сензорно разстояние: 0.063" (1.6mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,
Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,
Сензорно разстояние: 0.236" (6mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,
Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,
Сензорно разстояние: 0.236" (6mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,
Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,
Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,
Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,
Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,
Сензорно разстояние: 0.039" (1mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,
Сензорно разстояние: 0.039" (1mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,
Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 35V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,
Сензорно разстояние: 0.039" (1mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,
Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,
Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,
Сензорно разстояние: 0.236" (6mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,
Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,
Сензорно разстояние: 0.039" (1mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,
Сензорно разстояние: 0.197" (5mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,
Сензорно разстояние: 0.039" (1mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,
Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 35V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,
Сензорно разстояние: 0.039" (1mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,