Памет | Интегрални схеми (IC) | 4

MR4A08BCMA35

Част запас: 2109

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: RAM, Технология: MRAM (Magnetoresistive RAM), Размер на паметта: 16Mb (2M x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 35ns,

Списък с желания

Everspin Technologies Inc.

MR4A08BMA35

Част запас: 2272

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: RAM, Технология: MRAM (Magnetoresistive RAM), Размер на паметта: 16Mb (2M x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 35ns,

Списък с желания

Everspin Technologies Inc.

MR4A16BCMA35R

Част запас: 2946

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: RAM, Технология: MRAM (Magnetoresistive RAM), Размер на паметта: 16Mb (1M x 16), Време за писане на цикъл - дума, страница: 35ns,

Списък с желания

Everspin Technologies Inc.

MR4A08BCYS35

Част запас: 2131

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: RAM, Технология: MRAM (Magnetoresistive RAM), Размер на паметта: 16Mb (2M x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 35ns,

Списък с желания

Everspin Technologies Inc.

MR4A16BCYS35

Част запас: 2120

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: RAM, Технология: MRAM (Magnetoresistive RAM), Размер на паметта: 16Mb (1M x 16), Време за писане на цикъл - дума, страница: 35ns,

Списък с желания

Everspin Technologies Inc.

MR4A16BCMA35

Част запас: 2128

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: RAM, Технология: MRAM (Magnetoresistive RAM), Размер на паметта: 16Mb (1M x 16), Време за писане на цикъл - дума, страница: 35ns,

Списък с желания

Everspin Technologies Inc.

MR4A16BMA35

Част запас: 2205

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: RAM, Технология: MRAM (Magnetoresistive RAM), Размер на паметта: 16Mb (1M x 16), Време за писане на цикъл - дума, страница: 35ns,

Списък с желания

Everspin Technologies Inc.

MR4A16BCYS35R

Част запас: 2969

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: RAM, Технология: MRAM (Magnetoresistive RAM), Размер на паметта: 16Mb (1M x 16), Време за писане на цикъл - дума, страница: 35ns,

Списък с желания

Everspin Technologies Inc.

MR4A16BMA35R

Част запас: 3209

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: RAM, Технология: MRAM (Magnetoresistive RAM), Размер на паметта: 16Mb (1M x 16), Време за писане на цикъл - дума, страница: 35ns,

Списък с желания

Everspin Technologies Inc.

MR4A08BCMA35R

Част запас: 2941

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: RAM, Технология: MRAM (Magnetoresistive RAM), Размер на паметта: 16Mb (2M x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 35ns,

Списък с желания

Everspin Technologies Inc.

MR4A08BMA35R

Част запас: 3193

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: RAM, Технология: MRAM (Magnetoresistive RAM), Размер на паметта: 16Mb (2M x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 35ns,

Списък с желания

Everspin Technologies Inc.

MR4A08BCYS35R

Част запас: 2936

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: RAM, Технология: MRAM (Magnetoresistive RAM), Размер на паметта: 16Mb (2M x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 35ns,

Списък с желания

Everspin Technologies Inc.

MR4A16BYS35

Част запас: 2288

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: RAM, Технология: MRAM (Magnetoresistive RAM), Размер на паметта: 16Mb (1M x 16), Време за писане на цикъл - дума, страница: 35ns,

Списък с желания

Everspin Technologies Inc.

MR25H40MDF

Част запас: 4036

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: RAM, Технология: MRAM (Magnetoresistive RAM), Размер на паметта: 4Mb (512K x 8), Честота на часовника: 40MHz,

Списък с желания

Everspin Technologies Inc.

MR4A08BYS35

Част запас: 2220

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: RAM, Технология: MRAM (Magnetoresistive RAM), Размер на паметта: 16Mb (2M x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 35ns,

Списък с желания

Everspin Technologies Inc.

MR2A16AVYS35

Част запас: 2698

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: RAM, Технология: MRAM (Magnetoresistive RAM), Размер на паметта: 4Mb (256K x 16), Време за писане на цикъл - дума, страница: 35ns,

Списък с желания

Everspin Technologies Inc.

MR2A16AVMA35

Част запас: 2651

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: RAM, Технология: MRAM (Magnetoresistive RAM), Размер на паметта: 4Mb (256K x 16), Време за писане на цикъл - дума, страница: 35ns,

Списък с желания

Everspin Technologies Inc.

MR2A16ACMA35

Част запас: 3023

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: RAM, Технология: MRAM (Magnetoresistive RAM), Размер на паметта: 4Mb (256K x 16), Време за писане на цикъл - дума, страница: 35ns,

Списък с желания

Everspin Technologies Inc.

MR2A16ACYS35

Част запас: 3047

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: RAM, Технология: MRAM (Magnetoresistive RAM), Размер на паметта: 4Mb (256K x 16), Време за писане на цикъл - дума, страница: 35ns,

Списък с желания

Everspin Technologies Inc.

MR2A16AVMA35R

Част запас: 3824

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: RAM, Технология: MRAM (Magnetoresistive RAM), Размер на паметта: 4Mb (256K x 16), Време за писане на цикъл - дума, страница: 35ns,

Списък с желания

Everspin Technologies Inc.

MR2A08ACYS35

Част запас: 3049

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: RAM, Технология: MRAM (Magnetoresistive RAM), Размер на паметта: 4Mb (512K x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 35ns,

Списък с желания

Everspin Technologies Inc.

MR4A16BYS35R

Част запас: 3172

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: RAM, Технология: MRAM (Magnetoresistive RAM), Размер на паметта: 16Mb (1M x 16), Време за писане на цикъл - дума, страница: 35ns,

Списък с желания

Everspin Technologies Inc.

MR2A08ACMA35

Част запас: 3074

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: RAM, Технология: MRAM (Magnetoresistive RAM), Размер на паметта: 4Mb (512K x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 35ns,

Списък с желания

Everspin Technologies Inc.

MR2A08AYS35

Част запас: 3343

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: RAM, Технология: MRAM (Magnetoresistive RAM), Размер на паметта: 4Mb (512K x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 35ns,

Списък с желания

Everspin Technologies Inc.

MR25H40MDFR

Част запас: 5891

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: RAM, Технология: MRAM (Magnetoresistive RAM), Размер на паметта: 4Mb (512K x 8), Честота на часовника: 40MHz,

Списък с желания

Everspin Technologies Inc.

MR2A08AMYS35R

Част запас: 3635

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: RAM, Технология: MRAM (Magnetoresistive RAM), Размер на паметта: 4Mb (512K x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 35ns,

Списък с желания

Everspin Technologies Inc.

MR2A16AMA35

Част запас: 3314

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: RAM, Технология: MRAM (Magnetoresistive RAM), Размер на паметта: 4Mb (256K x 16), Време за писане на цикъл - дума, страница: 35ns,

Списък с желания

Everspin Technologies Inc.

MR2A16AMYS35R

Част запас: 3625

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: RAM, Технология: MRAM (Magnetoresistive RAM), Размер на паметта: 4Mb (256K x 16), Време за писане на цикъл - дума, страница: 35ns,

Списък с желания

Everspin Technologies Inc.

MR2A16AMA35R

Част запас: 4676

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: RAM, Технология: MRAM (Magnetoresistive RAM), Размер на паметта: 4Mb (256K x 16), Време за писане на цикъл - дума, страница: 35ns,

Списък с желания

Everspin Technologies Inc.

MR2A16AYS35

Част запас: 3300

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: RAM, Технология: MRAM (Magnetoresistive RAM), Размер на паметта: 4Mb (256K x 16), Време за писане на цикъл - дума, страница: 35ns,

Списък с желания

Everspin Technologies Inc.

MR2A08AMA35R

Част запас: 4722

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: RAM, Технология: MRAM (Magnetoresistive RAM), Размер на паметта: 4Mb (512K x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 35ns,

Списък с желания

Everspin Technologies Inc.

MR2A08ACMA35R

Част запас: 4344

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: RAM, Технология: MRAM (Magnetoresistive RAM), Размер на паметта: 4Mb (512K x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 35ns,

Списък с желания

Everspin Technologies Inc.

MR2A16ACMA35R

Част запас: 4318

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: RAM, Технология: MRAM (Magnetoresistive RAM), Размер на паметта: 4Mb (256K x 16), Време за писане на цикъл - дума, страница: 35ns,

Списък с желания

Everspin Technologies Inc.

MR2A16AMYS35

Част запас: 3373

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: RAM, Технология: MRAM (Magnetoresistive RAM), Размер на паметта: 4Mb (256K x 16), Време за писане на цикъл - дума, страница: 35ns,

Списък с желания

Everspin Technologies Inc.

MR2A08AMA35

Част запас: 4378

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: RAM, Технология: MRAM (Magnetoresistive RAM), Размер на паметта: 4Mb (512K x 8), Време за писане на цикъл - дума, страница: 35ns,

Списък с желания

Everspin Technologies Inc.

MR2A16AVYS35R

Част запас: 3774

Тип памет: Non-Volatile, Формат на паметта: RAM, Технология: MRAM (Magnetoresistive RAM), Размер на паметта: 4Mb (256K x 16), Време за писане на цикъл - дума, страница: 35ns,

Списък с желания