Сензорно разстояние: 0.210" (5.33mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 2.25V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100µA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 40mA, Тип изход: Phototransistor,
