Транзистори - FET, MOSFET - масиви

AON5820_101

AON5820_101

Част запас: 2917

FET тип: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 10A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 10A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Списък с желания
AON4605_001

AON4605_001

Част запас: 2976

FET тип: N and P-Channel, Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 4.3A, 3.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 4.3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Списък с желания
AON3816_101

AON3816_101

Част запас: 2894

FET тип: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA,

Списък с желания
AON2801L#A

AON2801L#A

Част запас: 2910

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Списък с желания
AO8822#A

AO8822#A

Част запас: 2896

FET тип: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Списък с желания
AO9926BL

AO9926BL

Част запас: 2902

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 7.6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 7.6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA,

Списък с желания
AO8814#A

AO8814#A

Част запас: 3370

FET тип: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Списък с желания
AO8810#A

AO8810#A

Част запас: 2910

FET тип: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA,

Списък с желания
AO8804_100

AO8804_100

Част запас: 2966

FET тип: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Списък с желания
AO8801L

AO8801L

Част запас: 2934

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 4.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 4.7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Списък с желания
AO6808_101

AO6808_101

Част запас: 2934

FET тип: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 4.6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Списък с желания
AO6804A_101

AO6804A_101

Част запас: 2888

FET тип: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Списък с желания
AO6800L_003

AO6800L_003

Част запас: 2966

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 3.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Списък с желания
AO6802L_001

AO6802L_001

Част запас: 3346

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 3.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Списък с желания
AO6601_001

AO6601_001

Част запас: 2917

FET тип: N and P-Channel Complementary, Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 3.4A, 2.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Списък с желания
AO4924L

AO4924L

Част запас: 2906

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

Списък с желания
AO4914L

AO4914L

Част запас: 2904

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

Списък с желания
AO4914_101

AO4914_101

Част запас: 2904

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

Списък с желания
AO4884L_001

AO4884L_001

Част запас: 2962

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 10A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA,

Списък с желания
AO4852L

AO4852L

Част запас: 2894

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA,

Списък с желания
AO4854L_102

AO4854L_102

Част запас: 2971

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

Списък с желания
AO4850L

AO4850L

Част запас: 2977

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 75V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 2.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Списък с желания
AO4842L

AO4842L

Част запас: 2887

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA,

Списък с желания
AO4828L

AO4828L

Част запас: 2944

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Списък с желания
AO4830L

AO4830L

Част запас: 2941

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 80V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 3.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA,

Списък с желания
AO4822L_101

AO4822L_101

Част запас: 2926

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

Списък с желания
AO4822AL

AO4822AL

Част запас: 2937

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

Списък с желания
AO4822AL_102

AO4822AL_102

Част запас: 2930

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

Списък с желания
AO4821L

AO4821L

Част запас: 2889

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 12V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 9A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA,

Списък с желания
AO4822_101

AO4822_101

Част запас: 2919

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

Списък с желания
AO4818BL_101

AO4818BL_101

Част запас: 2886

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

Списък с желания
AO4818L

AO4818L

Част запас: 2884

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

Списък с желания
AO4812L_101

AO4812L_101

Част запас: 2974

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

Списък с желания
AO4812L

AO4812L

Част запас: 2904

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

Списък с желания
AO4812_101

AO4812_101

Част запас: 2947

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

Списък с желания
AO4807L

AO4807L

Част запас: 2938

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

Списък с желания