Сензорно разстояние: 0.15" (3.8mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,
Сензорно разстояние: 0.120" (3.05mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 15V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Photodarlington,
Сензорно разстояние: 0.2" (5.08mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,
Сензорно разстояние: 0.15" (3.8mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 15V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 40mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Photodarlington,
Сензорно разстояние: 0.050" (1.27mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 60mA, Тип изход: Phototransistor,
Сензорно разстояние: 0.2" (5.08mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,
Сензорно разстояние: 0.040" (1.02mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,
Сензорно разстояние: 0.15" (3.8mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 15V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 40mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Photodarlington,
Сензорно разстояние: 0.200" (5.08mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 15V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Photodarlington,
Сензорно разстояние: 0.040" (1.02mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,
Сензорно разстояние: 0.250" (6.35mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 15V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Photodarlington,
Сензорно разстояние: 0.250" (6.35mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,
Сензорно разстояние: 0.05" (1.27mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 15V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 20mA, Тип изход: Phototransistor,
Сензорно разстояние: 0.2" (5.08mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,
Сензорно разстояние: 0.05" (1.27mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 20mA, Тип изход: Phototransistor,
Сензорно разстояние: 0.15" (3.8mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 15V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 40mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,
Сензорно разстояние: 0.250" (6.35mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 15V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Photodarlington,
Сензорно разстояние: 0.15" (3.8mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 40mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,
Сензорно разстояние: 0.050" (1.27mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 15V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 60mA, Тип изход: Phototransistor,
Сензорно разстояние: 0.250" (6.35mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 15V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Photodarlington,
Сензорно разстояние: 0.250" (6.35mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,
Сензорно разстояние: 0.250" (6.35mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,
Сензорно разстояние: 0.2" (5.08mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,
Сензорно разстояние: 0.15" (3.8mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 15V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 40mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,
Сензорно разстояние: 0.15" (3.8mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,
Сензорно разстояние: 0.200" (5.08mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 30V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,
Сензорно разстояние: 0.120" (3.05mm), Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 15V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,
