Транзистори - FET, MOSFET - масиви

VMM45-02F

Част запас: 1939

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 200V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 45A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 22.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA,

FMK75-01F

Част запас: 3528

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 75A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 50A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA,

GWM180-004X2-SMD

Част запас: 3104

FET тип: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 180A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 100A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA,

VKM40-06P1

Част запас: 1050

FET тип: 4 N-Channel (H-Bridge), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 600V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 38A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 25A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 3mA,

GWM100-0085X1-SMD SAM

Част запас: 2495

FET тип: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 85V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 103A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2 mOhm @ 75A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,

GWM100-0085X1-SMD

Част запас: 2946

FET тип: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 85V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 103A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2 mOhm @ 75A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,

GMM3X160-0055X2-SMDSAM

Част запас: 3108

FET тип: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 55V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 150A, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA,

VMM300-03F

Част запас: 404

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 300V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 290A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6 mOhm @ 145A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 30mA,

VMM650-01F

Част запас: 405

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 680A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2 mOhm @ 500A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 30mA,

GMM3X160-0055X2-SMD

Част запас: 3118

FET тип: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 55V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 150A, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA,

FMM22-05PF

Част запас: 4623

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 500V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 13A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA,

FMM60-02TF

Част запас: 5122

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 200V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 33A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 30A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA,

FMM65-015P

Част запас: 2720

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 150V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 65A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 50A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA,

LKK47-06C5

Част запас: 2067

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Super Junction, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 600V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 47A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 44A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA,

GWM120-0075P3-SMD SAM

Част запас: 2286

FET тип: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 75V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 118A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 60A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA,

GMM3X60-015X2-SMD

Част запас: 3720

FET тип: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 150V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 50A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 38A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA,

GWM100-01X1-SLSAM

Част запас: 2795

FET тип: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 90A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 80A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA,

FMM150-0075X2F

Част запас: 4607

FET тип: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 75V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 120A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 100A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,

VMM85-02F

Част запас: 1197

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 200V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 84A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA,

GWM220-004P3-SL SAM

Част запас: 2944

FET тип: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 180A, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA,

VWM270-0075X2

Част запас: 697

FET тип: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 75V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 270A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1 mOhm @ 100A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA,

FMM22-06PF

Част запас: 4230

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 600V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 12A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA,

GWM160-0055X1-SL

Част запас: 2919

FET тип: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 55V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 150A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 100A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA,

GWM120-0075P3-SL

Част запас: 2709

FET тип: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 75V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 118A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 60A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA,

FMP76-01T

Част запас: 227

FET тип: N and P-Channel, Common Drain, Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 54A (Tc), 62A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 38A, 10V, 11 mOhm @ 25A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, 4.5V @ 250µA,

FMM50-025TF

Част запас: 5089

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 250V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 30A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 25A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA,

VMK90-02T2

Част запас: 1263

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 200V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 83A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 3mA,

FMM75-01F

Част запас: 4572

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 75A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 50A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA,

MKE38P600TLB-TRR

Част запас: 227

MKE38P600TLB

Част запас: 267

Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 600V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 50A (Tc),

VMK165-007T

Част запас: 1586

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 70V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 165A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 82.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA,

GWM120-0075P3

Част запас: 2981

FET тип: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 75V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 118A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 60A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA,

FMP26-02P

Част запас: 4082

FET тип: N and P-Channel, Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 200V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 26A, 17A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 25A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA,

GWM180-004X2-SLSAM

Част запас: 3050

FET тип: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 180A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 100A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA,

FMP76-010T

Част запас: 5246

FET тип: N and P-Channel, Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 62A, 54A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 25A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA,

VMM90-09F

Част запас: 423

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 900V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 85A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76 mOhm @ 65A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 30mA,