Транзистори - FET, MOSFET - единични | Дискретни полупроводникови продукти | 1

CPC3902ZTR

Част запас: 131537

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 250V, Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 300mA, 0V,

Списък с желания

IXYS Integrated Circuits Division

CPC3902CTR

Част запас: 108608

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 250V, Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 300mA, 0V,

Списък с желания

IXYS Integrated Circuits Division

CPC3909ZTR

Част запас: 173406

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 400V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 300mA (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 Ohm @ 300mA, 0V,

Списък с желания

IXYS Integrated Circuits Division

CPC3701CTR

Част запас: 110408

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 300mA, 0V,

Списък с желания

IXYS Integrated Circuits Division

CPC3960ZTR

Част запас: 127604

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 600V, Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44 Ohm @ 100mA, 0V,

Списък с желания

IXYS Integrated Circuits Division

CPC3710CTR

Част запас: 180680

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 250V, Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 220mA, 0V,

Списък с желания

IXYS Integrated Circuits Division

CPC3909CTR

Част запас: 173441

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 400V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 300mA (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 Ohm @ 300mA, 0V,

Списък с желания

IXYS Integrated Circuits Division

CPC3710C

Част запас: 1443

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 250V, Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 220mA, 0V,

Списък с желания

IXYS Integrated Circuits Division

CPC3982TTR

Част запас: 126520

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 800V, Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 Ohm @ 20mA, 0V,

Списък с желания

IXYS Integrated Circuits Division

CPC3720C

Част запас: 1407

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 350V, Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 Ohm @ 130mA, 0V,

Списък с желания

IXYS Integrated Circuits Division

CPC3714C

Част запас: 1380

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 350V, Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 240mA, 0V,

Списък с желания

IXYS Integrated Circuits Division

CPC3980ZTR

Част запас: 198190

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 800V, Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 Ohm @ 100mA, 0V,

Списък с желания

IXYS Integrated Circuits Division

CPC3701C

Част запас: 1385

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 300mA, 0V,

Списък с желания

IXYS Integrated Circuits Division

CPC3730C

Част запас: 6160

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 350V, Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 Ohm @ 140mA, 0V,

Списък с желания

IXYS Integrated Circuits Division

CPC5603CTR

Част запас: 67206

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 415V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 5mA (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): -0.35V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 50mA, 350mV,

Списък с желания

IXYS Integrated Circuits Division

CPC3703C

Част запас: 335

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 250V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 360mA (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 200mA, 0V,

Списък с желания

IXYS Integrated Circuits Division

CPC3703CTR

Част запас: 103573

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 250V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 360mA (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 200mA, 0V,

Списък с желания

IXYS Integrated Circuits Division

CPC5602CTR

Част запас: 127786

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 350V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 5mA (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): -0.35V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 50mA, 350mV,

Списък с желания

IXYS Integrated Circuits Division

CPC3708ZTR

Част запас: 107138

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 350V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 5mA (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): -0.35V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 50mA, 350mV,

Списък с желания

IXYS Integrated Circuits Division

CPC3708CTR

Част запас: 185051

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 350V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 5mA (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): -0.35V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 50mA, 350mV,

Списък с желания