Диоди - Токоизправители - Масиви | Дискретни полупроводникови продукти | 1

SS275TI12205

Част запас: 747

Диодна конфигурация: 3 Independent, Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.8V @ 5A, Скорост: No Recovery Time > 500mA (Io),

Списък с желания

IXYS-RF

SS150TC60110

Част запас: 709

Диодна конфигурация: 3 Common Cathode, Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 10A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.8V @ 5A, Скорост: No Recovery Time > 500mA (Io),

Списък с желания

IXYS-RF

SS150TA60110

Част запас: 733

Диодна конфигурация: 3 Common Anode, Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 10A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.8V @ 5A, Скорост: No Recovery Time > 500mA (Io),

Списък с желания

IXYS-RF

SS275TA12205

Част запас: 711

Диодна конфигурация: 3 Common Anode, Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.8V @ 5A, Скорост: No Recovery Time > 500mA (Io),

Списък с желания

IXYS-RF

SS275TC12205

Част запас: 751

Диодна конфигурация: 3 Common Cathode, Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 1200V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 5A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.8V @ 5A, Скорост: No Recovery Time > 500mA (Io),

Списък с желания

IXYS-RF

SS150TI60110

Част запас: 671

Диодна конфигурация: 3 Independent, Тип диод: Silicon Carbide Schottky, Напрежение - DC обратен (Vr) (макс.): 600V, Ток - средно коригиран (Io) (на диод): 10A, Напрежение - напред (Vf) (макс.) @ Ако: 1.8V @ 5A, Скорост: No Recovery Time > 500mA (Io),

Списък с желания