Транзистори - биполярни (BJT) - единични | Дискретни полупроводникови продукти | 1

JANTXV2N6678

Част запас: 279

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 15A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 400V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 3A, 15A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1mA (ICBO), Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 3V,

Списък с желания

M/A-Com Technology Solutions

JANTXV2N6287

Част запас: 791

Тип транзистор: PNP - Darlington, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 100V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2V @ 40mA, 10A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 1mA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 1000 @ 6A, 3V,

Списък с желания

M/A-Com Technology Solutions

JANTXV2N3716

Част запас: 1086

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 10A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 80V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 2A, 10A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 10µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 3A, 2V,

Списък с желания

M/A-Com Technology Solutions

JANTX2N5339

Част запас: 5997

Тип транзистор: NPN, Ток - колектор (Ic) (макс.): 5A, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 100V, Наситеност на Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 500mA, 5A, Ток - прекъсване на колектора (макс.): 100µA, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 2V,

Списък с желания