Сензорно разстояние: 1.5mm, Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 20V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 60mA, Тип изход: Phototransistor,
Сензорно разстояние: 1.5mm, Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 20V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 40mA, Тип изход: Phototransistor,
Сензорно разстояние: 1.5mm, Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 20V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 50mA, Тип изход: Phototransistor,
Сензорно разстояние: 1.5mm, Метод на засичане: Reflective, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 20V, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Ток - DC напред (ако) (макс.): 30mA, Тип изход: Phototransistor,