Транзистори - FET, MOSFET - единични

У дома
Транзистори - FET, MOSFET - единични

VN2460N3-G-P014

Microchip Technology

VN2460N3-G-P014

Част запас: 77581

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 600V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 160mA (Tj), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 Ohm @ 100mA, 10V,

Списък с желания

DN2535N3-G-P003

Microchip Technology

DN2535N3-G-P003

Част запас: 124618

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 350V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 120mA (Tj), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 Ohm @ 120mA, 0V,

Списък с желания

Microchip Technology

TP2104K1-G

Част запас: 151643

FET тип: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 160mA (Tj), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 500mA, 10V,

Списък с желания

VN0106N3-G-P003

Microchip Technology

VN0106N3-G-P003

Част запас: 134159

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 350mA (Tj), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1A, 10V,

Списък с желания

TN0110N3-G-P002

Microchip Technology

TN0110N3-G-P002

Част запас: 96862

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 350mA (Tj), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 500mA, 10V,

Списък с желания

VN2222LL-G-P003

Microchip Technology

VN2222LL-G-P003

Част запас: 193763

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 230mA (Tj), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 500mA, 10V,

Списък с желания

Microchip Technology

TP0610T-G

Част запас: 134146

FET тип: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 120mA (Tj), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 200mA, 10V,

Списък с желания

Microchip Technology

MCP87130T-U/LC

Част запас: 197723

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 25V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 43A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 10A, 10V,

Списък с желания

Microchip Technology

VP3203N8-G

Част запас: 62298

FET тип: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 1.1A (Tj), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 1.5A, 10V,

Списък с желания

Microchip Technology

MCP87018T-U/MF

Част запас: 63090

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 25V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 100A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9 mOhm @ 25A, 10V,

Списък с желания

Microchip Technology

MIC94053YC6-TR

Част запас: 128534

FET тип: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 6V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 2A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84 mOhm @ 100mA, 4.5V,

Списък с желания

TN0106N3-G-P013

Microchip Technology

TN0106N3-G-P013

Част запас: 112567

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 350mA (Tj), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 500mA, 10V,

Списък с желания

Microchip Technology

DN1509K1-G

Част запас: 160789

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 90V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 200mA (Tj), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 200mA, 0V,

Списък с желания

Microchip Technology

MIC94030YM4-TR

Част запас: 142413

FET тип: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 16V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 1A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 100mA, 10V,

Списък с желания

Microchip Technology

VN2460N8-G

Част запас: 81138

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 600V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 200mA (Tj), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 Ohm @ 100mA, 10V,

Списък с желания

VN0550N3-G-P013

Microchip Technology

VN0550N3-G-P013

Част запас: 63426

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 500V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 50mA (Tj), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 Ohm @ 50mA, 10V,

Списък с желания

VN2222LL-G-P013

Microchip Technology

VN2222LL-G-P013

Част запас: 193747

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 230mA (Tj), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

Списък с желания

Microchip Technology

MCP87130T-U/MF

Част запас: 121994

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 25V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 43A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 10A, 10V,

Списък с желания

Microchip Technology

DN3765K4-G

Част запас: 37252

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 650V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 300mA (Tj), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 150mA, 0V,

Списък с желания

Microchip Technology

VN0606L-G-P003

Част запас: 77502

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 330mA (Tj), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1A, 10V,

Списък с желания

DN2540N3-G-P003

Microchip Technology

DN2540N3-G-P003

Част запас: 118644

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 400V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 120mA (Tj), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 Ohm @ 120mA, 0V,

Списък с желания

Microchip Technology

DN2450N8-G

Част запас: 136754

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 500V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 230mA (Tj), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 300mA, 0V,

Списък с желания

Microchip Technology

TP2640LG-G

Част запас: 49827

FET тип: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 400V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 86mA (Tj), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 Ohm @ 300mA, 10V,

Списък с желания

VN3205N3-G-P002

Microchip Technology

VN3205N3-G-P002

Част запас: 69774

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 50V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 1.2A (Tj), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 3A, 10V,

Списък с желания

TP2104N3-G-P003

Microchip Technology

TP2104N3-G-P003

Част запас: 139528

FET тип: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 175mA (Tj), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 500mA, 10V,

Списък с желания

Microchip Technology

DN3525N8-G

Част запас: 138382

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 250V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 360mA (Tj), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 200mA, 0V,

Списък с желания

Microchip Technology

VN2410L-G-P013

Част запас: 96918

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 240V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 190mA (Tj), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 500mA, 10V,

Списък с желания

Microchip Technology

TN2510N8-G

Част запас: 91780

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 730mA (Tj), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 750mA, 10V,

Списък с желания

Microchip Technology

TN2501N8-G

Част запас: 81098

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 18V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 400mA (Tj), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 3V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 200mA, 3V,

Списък с желания

Microchip Technology

MIC94050YM4-TR

Част запас: 157804

FET тип: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 6V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 1.8A (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 100mA, 4.5V,

Списък с желания

Microchip Technology

VN10KN3-G-P002

Част запас: 174354

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 310mA (Tj), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

Списък с желания

Microchip Technology

LP0701LG-G

Част запас: 51372

FET тип: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 16.5V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 700mA (Tj), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 2V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 300mA, 5V,

Списък с желания

TN0104N3-G-P003

Microchip Technology

TN0104N3-G-P003

Част запас: 96865

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 450mA (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 1A, 10V,

Списък с желания

Microchip Technology

VN10KN3-G-P013

Част запас: 174393

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 310mA (Tj), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

Списък с желания

Microchip Technology

TN2435N8-G

Част запас: 74270

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 350V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 365mA (Tj), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 750mA, 10V,

Списък с желания

Microchip Technology

DN3145N8-G

Част запас: 136772

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 450V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 100mA (Tj), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 Ohm @ 100mA, 0V,

Списък с желания

185

«
1
2
3
4
5
6
»