Изходна конфигурация: Half Bridge, Приложения: General Purpose, Интерфейс: PWM, Тип натоварване: Inductive, Технология: Power MOSFET, Rds On (тип): 100 mOhm,
Изходна конфигурация: Half Bridge, Приложения: General Purpose, Интерфейс: PWM, Тип натоварване: Inductive, Технология: Power MOSFET, Rds On (тип): 100 mOhm,
Изходна конфигурация: Half Bridge, Приложения: General Purpose, Интерфейс: PWM, Тип натоварване: Inductive, Технология: Power MOSFET, Rds On (тип): 100 mOhm,
Изходна конфигурация: Half Bridge, Приложения: General Purpose, Интерфейс: PWM, Тип натоварване: Inductive, Технология: Power MOSFET, Rds On (тип): 100 mOhm,
Изходна конфигурация: Half Bridge, Приложения: General Purpose, Интерфейс: PWM, Тип натоварване: Inductive, Технология: Power MOSFET, Rds On (тип): 100 mOhm,
Изходна конфигурация: Half Bridge, Приложения: General Purpose, Интерфейс: PWM, Тип натоварване: Inductive, Технология: Power MOSFET, Rds On (тип): 100 mOhm,