Menu
Български езикБългарски език
Rfqs / поръчка
0Rfqs / поръчка

Транзистори - FET, MOSFET - единични

  • У дома
  •  
  • Транзистори - FET, MOSFET - единични
BSP030,115
Nexperia USA Inc.

BSP030,115

Част запас: 8796

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 10A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 5A, 10V,

Списък с желания
BUK7509-55A,127
Nexperia USA Inc.

BUK7509-55A,127

Част запас: 8849

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 55V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 75A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 25A, 10V,

Списък с желания
BUK7513-75B,127
Nexperia USA Inc.

BUK7513-75B,127

Част запас: 8801

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 75V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 75A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 25A, 10V,

Списък с желания
BUK9509-40B,127
Nexperia USA Inc.

BUK9509-40B,127

Част запас: 8777

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 75A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 25A, 10V,

Списък с желания
BUK9512-55B,127
Nexperia USA Inc.

BUK9512-55B,127

Част запас: 8873

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 55V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 75A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 25A, 10V,

Списък с желания
BUK9520-100B,127
Nexperia USA Inc.

BUK9520-100B,127

Част запас: 47560

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 63A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5 mOhm @ 25A, 10V,

Списък с желания
BUK7909-75AIE,127
Nexperia USA Inc.

BUK7909-75AIE,127

Част запас: 28769

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 75V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 75A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 50A, 10V,

Списък с желания
BUK7C10-75AITE,118
Nexperia USA Inc.

BUK7C10-75AITE,118

Част запас: 42036

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 75V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 75A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 50A, 10V,

Списък с желания
BUK6E2R3-40C,127
Nexperia USA Inc.

BUK6E2R3-40C,127

Част запас: 27269

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 120A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3 mOhm @ 25A, 10V,

Списък с желания
BUK9506-40B,127
Nexperia USA Inc.

BUK9506-40B,127

Част запас: 8809

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 75A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 25A, 10V,

Списък с желания
BUK9507-30B,127
Nexperia USA Inc.

BUK9507-30B,127

Част запас: 8793

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 75A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 25A, 10V,

Списък с желания
BUK9508-55B,127
Nexperia USA Inc.

BUK9508-55B,127

Част запас: 5891

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 55V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 75A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 25A, 10V,

Списък с желания
BUK9575-100A,127
Nexperia USA Inc.

BUK9575-100A,127

Част запас: 8769

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 23A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 10A, 10V,

Списък с желания
BUK663R5-55C,118
Nexperia USA Inc.

BUK663R5-55C,118

Част запас: 87661

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 55V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 120A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 25A, 10V,

Списък с желания
BUK664R8-75C,118
Nexperia USA Inc.

BUK664R8-75C,118

Част запас: 39387

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 75V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 120A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 25A, 10V,

Списък с желания
BUK6E4R0-75C,127
Nexperia USA Inc.

BUK6E4R0-75C,127

Част запас: 71868

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 75V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 120A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 25A, 10V,

Списък с желания
BUK7535-100A,127
Nexperia USA Inc.

BUK7535-100A,127

Част запас: 8775

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 41A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 25A, 10V,

Списък с желания
BUK714R1-40BT,118
Nexperia USA Inc.

BUK714R1-40BT,118

Част запас: 22840

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 75A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1 mOhm @ 50A, 10V,

Списък с желания
BUK755R2-40B,127
Nexperia USA Inc.

BUK755R2-40B,127

Част запас: 8841

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 75A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 25A, 10V,

Списък с желания
BUK7909-75ATE,127
Nexperia USA Inc.

BUK7909-75ATE,127

Част запас: 28814

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 75V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 75A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 50A, 10V,

Списък с желания
BUK7907-55ATE,127
Nexperia USA Inc.

BUK7907-55ATE,127

Част запас: 28020

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 55V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 75A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 50A, 10V,

Списък с желания
BUK9510-100B,127
Nexperia USA Inc.

BUK9510-100B,127

Част запас: 8858

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 75A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7 mOhm @ 25A, 10V,

Списък с желания
BUK9907-40ATC,127
Nexperia USA Inc.

BUK9907-40ATC,127

Част запас: 27994

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 75A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 50A, 10V,

Списък с желания
BUK6218-40C,118
Nexperia USA Inc.

BUK6218-40C,118

Част запас: 183961

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 40V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 42A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 10A, 10V,

Списък с желания
BUK7Y65-100EX
Nexperia USA Inc.

BUK7Y65-100EX

Част запас: 107787

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 100V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 19A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 5A, 10V,

Списък с желания
BUK7277-55A,118
Nexperia USA Inc.

BUK7277-55A,118

Част запас: 161112

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 55V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 18A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77 mOhm @ 10A, 10V,

Списък с желания
BUK6226-75C,118
Nexperia USA Inc.

BUK6226-75C,118

Част запас: 115017

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 75V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 33A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 12A, 10V,

Списък с желания
BUK7214-75B,118
Nexperia USA Inc.

BUK7214-75B,118

Част запас: 59153

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 75V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 70A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 25A, 10V,

Списък с желания
BUK6213-30C,118
Nexperia USA Inc.

BUK6213-30C,118

Част запас: 196009

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 47A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 10A, 10V,

Списък с желания
BUK9Y40-55B,115
Nexperia USA Inc.

BUK9Y40-55B,115

Част запас: 104109

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 55V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 26A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 15A, 10V,

Списък с желания
BUK9217-75B,118
Nexperia USA Inc.

BUK9217-75B,118

Част запас: 152475

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 75V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 64A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 25A, 10V,

Списък с желания
BUK9212-55B,118
Nexperia USA Inc.

BUK9212-55B,118

Част запас: 152494

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 55V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 75A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 25A, 10V,

Списък с желания
BUK9226-75A,118
Nexperia USA Inc.

BUK9226-75A,118

Част запас: 74057

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 75V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 45A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.6 mOhm @ 25A, 10V,

Списък с желания
BUK7237-55A,118
Nexperia USA Inc.

BUK7237-55A,118

Част запас: 164175

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 55V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 32.3A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 25A, 10V,

Списък с желания
BUK9214-30A,118
Nexperia USA Inc.

BUK9214-30A,118

Част запас: 177706

FET тип: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 63A (Tc), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 25A, 10V,

Списък с желания
BSP230,135
Nexperia USA Inc.

BSP230,135

Част запас: 140673

FET тип: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 300V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 210mA (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 Ohm @ 170mA, 10V,

Списък с желания