Транзистори - биполярни (BJT) - масиви, предварите

XP0421300L

XP0421300L

Част запас: 1468

Тип транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Списък с желания
XN0411200L

XN0411200L

Част запас: 1391

Тип транзистор: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 22 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Списък с желания
DMC564070R

DMC564070R

Част запас: 118047

Тип транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Списък с желания
XP0339000L

XP0339000L

Част запас: 1544

Тип транзистор: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, 10 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Списък с желания
XP0121300L

XP0121300L

Част запас: 1475

Тип транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Списък с желания
XN0421500L

XN0421500L

Част запас: 1401

Тип транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Списък с желания
UP0421500L

UP0421500L

Част запас: 181231

Тип транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Списък с желания
XP0621200L

XP0621200L

Част запас: 1473

Тип транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 22 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Списък с желания
XP0121500L

XP0121500L

Част запас: 1407

Тип транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Списък с желания
UP01213G0L

UP01213G0L

Част запас: 187887

Тип транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Списък с желания
XP0621000L

XP0621000L

Част запас: 1473

Тип транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Списък с желания
DMG264020R

DMG264020R

Част запас: 139566

Тип транзистор: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 22 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Списък с желания
XN0111M00L

XN0111M00L

Част запас: 1478

Тип транзистор: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 2.2 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Списък с желания
XP0421M00L

XP0421M00L

Част запас: 1422

Тип транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 2.2 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Списък с желания
NP0G3A000A

NP0G3A000A

Част запас: 1454

Тип транзистор: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 80mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Списък с желания
XN0111000L

XN0111000L

Част запас: 1458

Тип транзистор: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Списък с желания
UP04311G0L

UP04311G0L

Част запас: 169891

Тип транзистор: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 10 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Списък с желания
UP0411MG0L

UP0411MG0L

Част запас: 1477

Тип транзистор: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 2.2 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Списък с желания
XP0111100L

XP0111100L

Част запас: 1396

Тип транзистор: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 10 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Списък с желания
XP0121200L

XP0121200L

Част запас: 1396

Тип транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 22 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Списък с желания
XP0111900L

XP0111900L

Част запас: 171022

Тип транзистор: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 1 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 10 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V,

Списък с желания
DMC261010R

DMC261010R

Част запас: 122595

Тип транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 10 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Списък с желания
XP0121700L

XP0121700L

Част запас: 1454

Тип транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Списък с желания
UP04213G0L

UP04213G0L

Част запас: 104699

Тип транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Списък с желания
DMG964060R

DMG964060R

Част запас: 139941

Тип транзистор: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Списък с желания
DMG264040R

DMG264040R

Част запас: 138992

Тип транзистор: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Списък с желания
XP0111300L

XP0111300L

Част запас: 1431

Тип транзистор: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Списък с желания
DMA264050R

DMA264050R

Част запас: 138706

Тип транзистор: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Списък с желания
DMC564040R

DMC564040R

Част запас: 131200

Тип транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Списък с желания
NP062AN00A

NP062AN00A

Част запас: 191416

Тип транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 80mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Списък с желания
XN0421300L

XN0421300L

Част запас: 1434

Тип транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Списък с желания
DMA261010R

DMA261010R

Част запас: 177827

Тип транзистор: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 10 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Списък с желания
DMC261020R

DMC261020R

Част запас: 168460

Тип транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 22 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Списък с желания
UP0431500L

UP0431500L

Част запас: 1397

Тип транзистор: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Списък с желания
XN0121000L

XN0121000L

Част запас: 5344

Тип транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Списък с желания
DMC566060R

DMC566060R

Част запас: 149235

Тип транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Списък с желания