Изходна конфигурация: Half Bridge, Приложения: General Purpose, Интерфейс: On/Off, Тип натоварване: Inductive, Технология: Power MOSFET, Rds On (тип): 1.53 Ohm,
Изходна конфигурация: Half Bridge, Приложения: General Purpose, Интерфейс: On/Off, Тип натоварване: Inductive, Технология: Power MOSFET, Rds On (тип): 400 mOhm,
Изходна конфигурация: Half Bridge, Приложения: General Purpose, Интерфейс: On/Off, Тип натоварване: Inductive, Технология: Power MOSFET, Rds On (тип): 1 Ohm,
Изходна конфигурация: Half Bridge, Приложения: General Purpose, Интерфейс: On/Off, Тип натоварване: Inductive, Технология: Power MOSFET, Rds On (тип): 740 mOhm,
Изходна конфигурация: Half Bridge, Приложения: General Purpose, Интерфейс: On/Off, Тип натоварване: Inductive, Технология: Power MOSFET, Rds On (тип): 600 mOhm,
Изходна конфигурация: Half Bridge, Приложения: General Purpose, Интерфейс: On/Off, Тип натоварване: Inductive, Технология: Power MOSFET, Rds On (тип): 1 Ohm,
Изходна конфигурация: Half Bridge, Приложения: General Purpose, Интерфейс: On/Off, Тип натоварване: Inductive, Технология: Power MOSFET, Rds On (тип): 740 mOhm,
Изходна конфигурация: Half Bridge, Приложения: General Purpose, Интерфейс: On/Off, Тип натоварване: Inductive, Технология: Power MOSFET, Rds On (тип): 260 mOhm,
Изходна конфигурация: Half Bridge, Приложения: General Purpose, Интерфейс: On/Off, Тип натоварване: Inductive, Технология: Power MOSFET, Rds On (тип): 600 mOhm,
Изходна конфигурация: Half Bridge, Приложения: General Purpose, Интерфейс: On/Off, Тип натоварване: Inductive, Технология: Power MOSFET, Rds On (тип): 1.53 Ohm,