Транзистори - FET, MOSFET - масиви

UPA3753GR-E1-AT

Част запас: 158590

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56 mOhm @ 2.5A, 10V,

UPA2660T1R-E2-AX

Част запас: 164961

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62 mOhm @ 2A, 4.5V,

UPA2690T1R-E2-AX

Част запас: 161730

FET тип: N and P-Channel Complementary, Функция FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 4A, 3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 2A, 4.5V,

UPA672T-T1-A

Част запас: 3018

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 50V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 100mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 Ohm @ 10mA, 4V,

UPA2672T1R-E2-AX

Част запас: 5419

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, 1.8V Drive, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 12V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67 mOhm @ 2A, 4.5V,

UPA1764G-E1-A

Част запас: 2982

UPA1981TE-T1-A

Част запас: 3313

UPA1764G(0)-E1-AZ

Част запас: 3007

UPA1764G(0)-E2-AT

Част запас: 3039

UPA2372T1P-E4-A

Част запас: 2981

RJK4034DJE-00#Z0

Част запас: 3031

RJM0603JSC-00#13

Част запас: 3358

FET тип: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge), Функция FET: Logic Level Gate, 4.5V Drive, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 20A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

UPA2383T1P-E1-A#YW

Част запас: 3021

UPA2381T1P-E1-A#YW

Част запас: 3033

RJM0603JSC-00#12

Част запас: 2981

FET тип: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge), Функция FET: Logic Level Gate, 4.5V Drive, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 20A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

HAT2092R-EL-E

Част запас: 2741

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 11A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 5.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

UPA2373T1P-E4-A

Част запас: 2961

FET тип: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Функция FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive,

UPA2379T1P-E1-A

Част запас: 102853

FET тип: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Функция FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive,

UPA2385T1P-E1-A

Част запас: 2930

UPA2375T1P-E1-A

Част запас: 126687

FET тип: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Функция FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive,

RJM0306JSP-01#J0

Част запас: 2927

FET тип: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge), Функция FET: Logic Level Gate, 4V Drive, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 3.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 2A, 10V,

HAT2038R-EL-E

Част запас: 2697

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA,

UPA2670T1R-E2-AX

Част запас: 2933

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, 1.8V Drive, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

UPA1764G-E2-AZ

Част запас: 3354

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 3.5A, 10V,