Част запас: 135552
FET тип: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 200mA (Ta), Задвижващо напрежение (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 200mA, 4.5V,