Транзистори - биполярни (BJT) - единични, предвари | Дискретни полупроводникови продукти | 16

DTC124ECAHZGT116

Част запас: 123

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased + Diode, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 22 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

DTC124EU3T106

Част запас: 63

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased + Diode, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 22 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

DTC023EMT2L

Част запас: 143332

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 2.2 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 2.2 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 10V,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

DTC114YMT2L

Част запас: 101222

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 70mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

DTC123JETL

Част запас: 199453

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 2.2 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

DTC143ECAT116

Част запас: 167420

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 4.7 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

DTC124XEFRATL

Част запас: 69

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased + Diode, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

DTA143TMT2L

Част запас: 104749

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

DTA013ZUBTL

Част запас: 181648

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 1 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 10 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

DTD113ECHZGT116

Част запас: 113

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased + Diode, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Резистор - основа (R1): 1 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 1 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

DTD113ECT116

Част запас: 100985

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 1 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 1 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

DTA123JCAT116

Част запас: 103671

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 20V, Резистор - основа (R1): 2.2 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

DTA115EMT2L

Част запас: 111770

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 100 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 100 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

DTC023JMT2L

Част запас: 109540

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 2.2 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

DTC015EUBTL

Част запас: 162811

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 20mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 100 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 100 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

DTC923TUBTL

Част запас: 157543

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 400mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 20V, Резистор - основа (R1): 2.2 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 820 @ 10mA, 5V,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

DTC124XMT2L

Част запас: 100919

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

DTA144GUAT106

Част запас: 182490

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

DTB123YKT146

Част запас: 199309

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 2.2 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 10 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

DTA143ZCAT116

Част запас: 107740

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

DTA143ECAT116

Част запас: 120659

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 4.7 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

DTA144EU3T106

Част запас: 54

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased + Diode, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

DTA024EMT2L

Част запас: 136823

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 22 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

DTB123YCHZGT116

Част запас: 135

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased + Diode, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Резистор - основа (R1): 2.2 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 10 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

DTA114YKAT146

Част запас: 125826

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

DTA143EMT2L

Част запас: 141367

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 4.7 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

DTA114YCAT116

Част запас: 185770

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

DTC144GUAT106

Част запас: 191385

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

DTC124XCAHZGT116

Част запас: 66

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased + Diode, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

DTA123JMT2L

Част запас: 161293

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 2.2 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

DTC124TMT2L

Част запас: 187509

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

DTC014TUBTL

Част запас: 164311

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

DTD523YETL

Част запас: 136937

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 500mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 12V, Резистор - основа (R1): 2.2 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 10 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

DTC144EMT2L

Част запас: 197378

Тип транзистор: NPN - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

DTA124XEFRATL

Част запас: 103

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

DTA014EMT2L

Част запас: 158404

Тип транзистор: PNP - Pre-Biased, Ток - колектор (Ic) (макс.): 50mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 10 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Списък с желания