Транзистори - биполярни (BJT) - масиви, предварите

У дома
Транзистори - биполярни (BJT) - масиви, предварите

Rohm Semiconductor

FMA5AT148

Част запас: 154673

Тип транзистор: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 2.2 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

FMA2AT148

Част запас: 118374

Тип транзистор: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

EMB51T2R

Част запас: 153857

Тип транзистор: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 30mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 22 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

EMD59T2R

Част запас: 105571

Тип транзистор: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

EMG1T2R

Част запас: 157219

Тип транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 22 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

UMG6NTR

Част запас: 150689

Тип транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

EMD2FHAT2R

Част запас: 49

Тип транзистор: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 22 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

UMG11NTR

Част запас: 165669

Тип транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 2.2 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

EMH1FHAT2R

Част запас: 58

Тип транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 22 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

UMF28NTR

Част запас: 191969

Тип транзистор: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, 150mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V / 180 @ 1mA, 6V,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

UMH2NTN

Част запас: 169521

Тип транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

FMA3AT148

Част запас: 146985

Тип транзистор: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

EMG4T2R

Част запас: 180870

Тип транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

EMD12FHAT2R

Част запас: 131

Тип транзистор: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

EMH10T2R

Част запас: 158251

Тип транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 22 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

FMA9AT148

Част запас: 160440

Тип транзистор: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 10 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

FMG6AT148

Част запас: 198922

Тип транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

UMB4NTN

Част запас: 128057

Тип транзистор: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

UMA1NTR

Част запас: 139490

Тип транзистор: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 22 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 22 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

EMD9T2R

Част запас: 185605

Тип транзистор: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

EMG2T2R

Част запас: 111599

Тип транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

EMD5T2R

Част запас: 109340

Тип транзистор: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, 4.7 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, 10 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V / 30 @ 10mA, 5V,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

EMB11T2R

Част запас: 118490

Тип транзистор: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 10 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

FMG2AT148

Част запас: 107915

Тип транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

EMH75T2R

Част запас: 186217

Тип транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

UMD22NTR

Част запас: 132867

Тип транзистор: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

UMA5NTR

Част запас: 183533

Тип транзистор: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 2.2 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

UMB11NTN

Част запас: 138120

Тип транзистор: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 10 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

IMH23T110

Част запас: 100301

Тип транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 600mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 20V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 820 @ 50mA, 5V,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

EMG9T2R

Част запас: 183074

Тип транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 10 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

EMA5T2R

Част запас: 112853

Тип транзистор: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 2.2 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

UMB3NTN

Част запас: 176971

Тип транзистор: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

UMB10NTN

Част запас: 138064

Тип транзистор: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 2.2 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

EMD53T2R

Част запас: 198185

Тип транзистор: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 10 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 10 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

EMH25FHAT2R

Част запас: 50

Тип транзистор: 2 NPN Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Резистор - основа (R1): 4.7 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

IMB2AT110

Част запас: 172732

Тип транзистор: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ток - колектор (Ic) (макс.): 100mA, Напрежение - разбивка на колекторния емитер (макс.): 50V, Резистор - основа (R1): 47 kOhms, Резистор - основа на емитер (R2): 47 kOhms, Получаване на постоянен ток (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Списък с желания

187

«
1
2
3
4
5
6
»