Транзистори - FET, MOSFET - масиви | Дискретни полупроводникови продукти | 5

SP8M2FU6TB

Част запас: 156997

FET тип: N and P-Channel, Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 3.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

MP6K31TR

Част запас: 2806

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

SP8M5FU6TB

Част запас: 3289

FET тип: N and P-Channel, Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 6A, 7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

SP8M8TB

Част запас: 3276

FET тип: N and P-Channel, Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 6A, 4.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

MP6M12TCR

Част запас: 2901

FET тип: N and P-Channel, Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

SP8J1TB

Част запас: 2724

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

SP8K22FU6TB

Част запас: 115178

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 45V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 4.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

VT6K1T2CR

Част запас: 166434

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, 1.2V Drive, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 100mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

SP8M70TB1

Част запас: 89658

FET тип: N and P-Channel, Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 250V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 3A, 2.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.63 Ohm @ 1.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

QS8K51TR

Част запас: 139893

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 2A,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

QH8MA3TCR

Част запас: 185267

FET тип: N and P-Channel, Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 7A, 5.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

SH8K12TB1

Част запас: 185191

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

UM6K34NTCN

Част запас: 167601

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, 0.9V Drive, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 50V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 200mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

SH8M24TB1

Част запас: 112720

FET тип: N and P-Channel, Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 45V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 4.5A, 3.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

UM6J1NTN

Част запас: 145064

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 200mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 200mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

QS8J13TR

Част запас: 157844

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 12V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 5.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 5.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

SH8M11TB1

Част запас: 138257

FET тип: N and P-Channel, Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 3.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

EM6K34T2CR

Част запас: 122186

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, 0.9V Drive, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 50V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 200mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

QS6J11TR

Част запас: 168987

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 12V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

EM6K7T2R

Част запас: 107116

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 200mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 200mA, 2.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

QS8K2TR

Част запас: 107158

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 3.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54 mOhm @ 3.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

QS6J3TR

Част запас: 190781

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 20V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 1.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 215 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

UM6K31NTN

Част запас: 169406

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 250mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 Ohm @ 250mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

SP8J66TB1

Част запас: 59328

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 9A,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

SH8M2TB1

Част запас: 104614

FET тип: N and P-Channel, Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 3.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

QH8KA2TCR

Част запас: 115998

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 4.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

QS8J5TR

Част запас: 118611

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

QS8J2TR

Част запас: 191347

FET тип: 2 P-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, 1.5V Drive, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 12V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

SH8K41GZETB

Част запас: 108314

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 80V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 3.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

QS8K13TCR

Част запас: 183897

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Standard, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

SP8K31TB1

Част запас: 132551

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 60V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 3.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

SH8KA2GZETB

Част запас: 158789

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

SH8K5TB1

Част запас: 122471

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 3.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

QS8K21TR

Част запас: 194558

FET тип: 2 N-Channel (Dual), Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 45V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

QS8M12TCR

Част запас: 150953

FET тип: N and P-Channel, Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Списък с желания

Rohm Semiconductor

SH8M14TB1

Част запас: 116026

FET тип: N and P-Channel, Функция FET: Logic Level Gate, Изтичане към източника на напрежение (Vdss): 30V, Ток - Непрекъснато източване (Id) при 25 ° C: 9A, 7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Списък с желания